光伏组件解决方案

650V / 1000V / 1200V IGBT，优化用于光伏应用，具有超低静态和动态损耗，提升系统效率。
2000V 碳化硅BOOST器件，简化最大功率点跟踪（MPPT）设计，提升整体效率。
增强版Easy3B和Easy2B封装，支持定制引脚布局，适应多样化光伏串联配置，最高工作温度达175°C。
高器件一致性和优异的电流共享能力，确保可靠的并联运行，便于系统扩展。
针对应用和过载需求的优化解决方案，包括封装和芯片配置定制。

光伏组件系列解决方案介绍

采用高效沟槽场停止IGBT和平面栅碳化硅MOSFET，结合高可靠性Easy2B /Easy 3B/62mm封装，提升光伏电站的能量转换效率，增强系统可靠性，覆盖串联和集中式光伏系统的全部范围。

IGBT产品列表

直流/交流电网互联 NPC1

直流/交流电网互联 ANPC

直流/交流电网互联 NPC2

产品型号	芯片类型	电流（A）@25℃	拓扑结构	额定电压（V）	封装
HCG600FL120E3T1	混合	600	三级	1200	经济型双路3A
HCG600FL110E3T1	混合	600	三级	1100	经济型双路3A
HCS600FH120M2	碳化硅	600	半桥	1200	经济型双路3A
HCS450FH120M2	碳化硅	450	半桥	1200	经济型双路3A
HCS670FH120M2	碳化硅	670	半桥	1200	经济型双路3A
HCS450FH220M	碳化硅	450	半桥	2200	经济型双路3A
HCS600FH220M	碳化硅	600	半桥	2200	经济型双路3A
HCS300FH120M	碳化硅	300	半桥	1200	经济型双路3A
HCS600FH120D5B3	碳化硅	600	半桥	1200	Econo Dual3C
HCS05FH120E1R1	碳化硅	150	半桥	1200	Easy 1B
HCS10FH120E1A2	碳化硅	100	半桥	1200	Easy 1B
HCS30FF120E1A1	碳化硅	45	H桥	1200	Easy 1B
HCS400FH120BG	碳化硅	400	半桥	1200	Easy 1B

碳化硅产品清单

直流/交流电网互联 NPC1

直流/交流电网互联 ANPC

直流/交流电网互联 NPC2

产品型号	芯片类型	电流（A）@25℃	拓扑结构	额定电压（V）	封装
HCS06FH120E2C1	碳化硅	200	半桥	1200	Easy2B
HCS08FH120E2A2	碳化硅	160	半桥	1200	Easy2B
HCH10FA120E2C1	混合	100	ANPC	1200	Easy2B
HCS04FC120E2C2	碳化硅	200	斩波器	1200	Easy2B
HCS05FH230E2B2	碳化硅	240	半桥	2300	Easy 2B
HCS240FH120E2DM	碳化硅	240	半桥	1200	Easy2B
HCS350FH200E3	碳化硅	350	半桥	2000	便捷3B
HCS600FL120E3T1	碳化硅	600	三级	1200	便捷3B
HCS320FH120A2M	碳化硅	320	半桥	1200	62mm
HCS350FH120A2M	碳化硅	350	半桥	1200	62mm
HCS360FH120A2C1	碳化硅	360	半桥	1200	62mm
HCS400FH120A2BM	碳化硅	400	半桥	1200	62mm
HCS540FH120A2A1	碳化硅	540	半桥	1200	62mm
HCS300FH170A2C1	碳化硅	300	半桥	1700	62mm
HCS400FH170A2C1	碳化硅	400	半桥	1700	62mm
HCS68FS120ST	碳化硅	68	单刀开关	1200	SOT-227
HCS120FS120ST	碳化硅	120	单刀开关	1200	SOT-227

光伏导向设备与拓扑优化

从半导体结构到系统拓扑，每个细节都为光伏运行条件进行了优化。

光伏专用电压平台

650V / 1000V / 1200V / 1700V / 2200V等专用电压等级，符合主流和下一代光伏直流母线设计，包括1500V系统。

超低开关损耗和导通损耗

沟槽场停止型IGBT和平面栅SiC MOSFET显著降低动态和静态损耗，提高逆变器效率，降低热应力。

原生支持光伏拓扑结构

针对Boost、Dual Boost、FC Boost、NPC、ANPC、三电平和半桥等常用光伏逆变器和直流/直流转换阶段的拓扑结构进行优化。

为恶劣户外环境设计

高结温能力（最高达175°C）确保在高环境温度下的稳定运行和长寿命。

使用HIITIO构建您的下一代光伏系统

获得专家支持，选择适合您的光伏应用的IGBT或SiC模块。

系统导向的功率半导体专业知识

超越单个器件，HIITIO提供面向系统的功率半导体解决方案，适用于实际能源转换应用。

面向应用的功率半导体开发

关注实际应用场景，而非孤立的器件性能，长期参与可再生能源、电力电子和工业电力系统。

全面的电压和封装产品组合

从离散器件到集成功率模块全覆盖，支持从650V到2200V的电压等级，以及多种行业标准封装以满足不同功率需求。

拓扑和应用导向的产品选择

支持根据系统拓扑结构、直流母线电压、电流额定值、开关频率和热管理要求进行器件和模块的选择。

为可扩展性和长期可靠性而设计

产品和平台结构支持并行运行、电力扩展以及在苛刻环境中的稳定长期运行。

应用场景

涵盖光伏及光伏+储能系统中的关键能量转换阶段。

光伏模块系列解决方案常见问题

光伏发电模块选择常见问题解答

我应如何在光伏应用中选择IGBT和SiC模块？

建议在中低频、高功率系统中使用IGBT；高频、高效率系统中优先选择SiC。

你们支持1500V光伏系统吗？

是的，我们提供适用于1700V及更高电压等级的SiC模块解决方案。

你们支持并联扩展吗？

是的，多个模块适合并联运行和功率扩展。

你们可以提供定制包装或参数吗？

根据项目需求，提供设备和包装层面的定制支持。

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