Solución de Módulo Fotovoltaico

  • IGBTs de 650V / 1000V / 1200V optimizados para aplicaciones fotovoltaicas, con pérdidas estáticas y dinámicas ultrabajas para una mayor eficiencia del sistema.

  • Dispositivos SiC BOOST de 2000V que simplifican el diseño MPPT y mejoran la eficiencia general.

  • Paquetes Easy3B y Easy2B mejorados con diseños de pines personalizados, que soportan diversas configuraciones de cadenas fotovoltaicas y operación a altas temperaturas hasta 175 °C.

  • Alta consistencia del dispositivo y excelente reparto de corriente, que permiten una operación en paralelo confiable y una fácil escalabilidad del sistema.

  • Soluciones optimizadas adaptadas a los requisitos de aplicación y sobrecarga, incluyendo personalización del paquete y configuración del chip.

Introducción a la Solución de la Serie de Módulos Fotovoltaicos

Adopción de IGBTs de campo de trinchera de alta eficiencia y MOSFETs SiC de puerta plana combinados con paquetes Easy2B / Easy3B / 62mm de alta fiabilidad, los productos pueden mejorar la eficiencia de conversión de energía de las plantas fotovoltaicas y mejorar la fiabilidad del sistema, cubriendo toda la gama de sistemas fotovoltaicos en cadena y centralizados.

Lista de productos IGBT

Interconexión de red DC/AC NPC1

Topología de aplicación ANPC

Interconexión de red DC/AC ANPC

Topología de aplicación NPC2

Interconexión de red DC/AC NPC2

Modelo de productoTipos de chipIc(A)@25℃TopologíaVotaje nominal (V)Embalaje
HCG600FL120E3T1Híbrido600De 3 niveles1200Econo Dual 3A
HCG600FL110E3T1Híbrido600De 3 niveles1100Econo Dual 3A
HCS600FH120M2SiC600Medio Puente1200Econo Dual 3A
HCS450FH120M2SiC450Medio Puente1200Econo Dual 3A
HCS670FH120M2SiC670Medio Puente1200Econo Dual 3A
HCS450FH220MSiC450Medio Puente2200Econo Dual 3A
HCS600FH220MSiC600Medio Puente2200Econo Dual 3A
HCS300FH120MSiC300Medio Puente1200Econo Dual 3A
HCS600FH120D5B3SiC600Medio Puente1200Econo Dual3C
HCS05FH120E1R1SiC150Medio Puente1200Easy 1B
HCS10FH120E1A2SiC100Medio Puente1200Easy 1B
HCS30FF120E1A1SiC45Puente H1200Easy 1B
HCS400FH120BGSiC400Medio Puente1200Easy 1B

Lista de productos SiC

Interconexión de red DC/AC NPC1

Topología de Aplicación_Dual_Boost-1

Interconexión de red DC/AC ANPC

Topología de Aplicación_FC_Boost-1

Interconexión de red DC/AC NPC2

Modelo de productoTipos de chipIc(A)@25℃TopologíaVotaje nominal (V)Embalaje
HCS06FH120E2C1SiC200Medio Puente1200Easy2B
HCS08FH120E2A2SiC160Medio Puente1200Easy2B
HCH10FA120E2C1Híbrido100ANPC1200Easy2B
HCS04FC120E2C2SiC200Conmutador1200Easy2B
HCS05FH230E2B2SiC240Medio Puente2300Fácil 2B
HCS240FH120E2DMSiC240Medio Puente1200Easy2B
HCS350FH200E3SiC350Medio Puente2000Fácil 3B
HCS600FL120E3T1SiC600De 3 niveles1200Fácil 3B
HCS320FH120A2MSiC320Medio Puente120062mm
HCS350FH120A2MSiC350Medio Puente120062mm
HCS360FH120A2C1SiC360Medio Puente120062mm
HCS400FH120A2BMSiC400Medio Puente120062mm
HCS540FH120A2A1SiC540Medio Puente120062mm
HCS300FH170A2C1SiC300Medio Puente170062mm
HCS400FH170A2C1SiC400Medio Puente170062mm
HCS68FS120STSiC68Interruptor simple1200SOT-227
HCS120FS120STSiC120Interruptor simple1200SOT-227

Dispositivo orientado a PV y optimización de topología

Desde la estructura del semiconductor hasta la topología del sistema, cada detalle está optimizado para condiciones de operación fotovoltaicas.

Plataformas de voltaje específicas para PV

Clases de voltaje dedicadas de 650V / 1000V / 1200V / 1700V / 2200V que se alinean con los diseños de bus DC fotovoltaico principales y de próxima generación, incluyendo sistemas de 1500V.

Pérdidas de conmutación y conducción ultrabajas

IGBTs de campo de trinchera y MOSFETs SiC de puerta plana reducen significativamente las pérdidas dinámicas y estáticas, mejorando la eficiencia del inversor y reduciendo el estrés térmico.

Soporte nativo para topologías PV

Optimizado para topologías de Boost, Doble Boost, FC Boost, NPC, ANPC, de 3 niveles y de media puente, comúnmente utilizadas en inversores fotovoltaicos y etapas DC/DC.

Diseñado para entornos exteriores adversos

Alta capacidad de temperatura de unión (hasta 175°C) que garantiza una operación estable bajo altas temperaturas ambientales y una larga vida útil.

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Experiencia en semiconductores de potencia orientada a sistemas

Más allá de los dispositivos individuales, HIITIO ofrece soluciones de semiconductores de potencia orientadas a sistemas para aplicaciones reales de conversión de energía.

Desarrollo de semiconductores de potencia enfocado en aplicaciones

Enfoque en escenarios de aplicación del mundo real en lugar del rendimiento aislado del dispositivo, con participación a largo plazo en energías renovables, electrónica de potencia y sistemas de energía industrial.

Portafolio completo de voltajes y empaquetados

Cobertura total desde dispositivos discretos hasta módulos de potencia integrados, soportando clases de voltaje de 650V a 2200V y múltiples empaquetados estándar de la industria para diferentes niveles de potencia.

Selección de productos basada en topología y aplicación

Soporte para la selección de dispositivos y módulos en función de la topología del sistema, voltaje del bus DC, capacidad de corriente, frecuencia de conmutación y requisitos térmicos.

Diseñado para escalabilidad y fiabilidad a largo plazo

Los productos y plataformas están estructurados para soportar operación en paralelo, escalado de potencia y operación estable a largo plazo en entornos exigentes.

Escenarios de aplicación

Cubriendo las etapas clave de conversión de energía en sistemas fotovoltaicos y PV-plus-storage.

Inversores fotovoltaicos

Convertidores Boost DC/DC

Convertidores conectados a la red

Sistemas de almacenamiento de energía y PV

Preguntas frecuentes sobre la solución de series de módulos fotovoltaicos

Preguntas frecuentes sobre la selección de módulos de potencia fotovoltaica

Se recomienda IGBT para sistemas de alta potencia y frecuencia media-baja; SiC es preferido para sistemas de alta frecuencia y alta eficiencia.

Sí, ofrecemos soluciones de módulos SiC para niveles de voltaje de 1700V y superiores.

Sí, múltiples módulos son adecuados para operación en paralelo y escalado de potencia.

El soporte de personalización a nivel de dispositivo y empaquetado está disponible según los requisitos del proyecto.

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