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ES 光伏组件解决方案
650V / 1000V / 1200V IGBT，优化用于光伏应用，具有超低静态和动态损耗，提升系统效率。
2000V 碳化硅BOOST器件，简化最大功率点跟踪（MPPT）设计，提升整体效率。
增强版Easy3B和Easy2B封装，支持定制引脚布局，适应多样化光伏串联配置，最高工作温度达175°C。
高器件一致性和优异的电流共享能力，确保可靠的并联运行，便于系统扩展。
针对应用和过载需求的优化解决方案，包括封装和芯片配置定制。
光伏组件系列解决方案介绍
采用高效沟槽场停止IGBT和平面栅碳化硅MOSFET，结合高可靠性Easy2B /Easy 3B/62mm封装，提升光伏电站的能量转换效率，增强系统可靠性，覆盖串联和集中式光伏系统的全部范围。
IGBT产品列表
直流/交流电网互联 NPC1
直流/交流电网互联 ANPC
直流/交流电网互联 NPC2
| 产品型号 | 芯片类型 | 电流（A）@25℃ | 拓扑结构 | 额定电压（V） | 封装 |
|---|---|---|---|---|---|
| HCG600FL120E3T1 | 混合 | 600 | 三级 | 1200 | 经济型双路3A |
| HCG600FL110E3T1 | 混合 | 600 | 三级 | 1100 | 经济型双路3A |
| HCS600FH120M2 | 碳化硅 | 600 | 半桥 | 1200 | 经济型双路3A |
| HCS450FH120M2 | 碳化硅 | 450 | 半桥 | 1200 | 经济型双路3A |
| HCS670FH120M2 | 碳化硅 | 670 | 半桥 | 1200 | 经济型双路3A |
| HCS450FH220M | 碳化硅 | 450 | 半桥 | 2200 | 经济型双路3A |
| HCS600FH220M | 碳化硅 | 600 | 半桥 | 2200 | 经济型双路3A |
| HCS300FH120M | 碳化硅 | 300 | 半桥 | 1200 | 经济型双路3A |
| HCS600FH120D5B3 | 碳化硅 | 600 | 半桥 | 1200 | Econo Dual3C |
| HCS05FH120E1R1 | 碳化硅 | 150 | 半桥 | 1200 | Easy 1B |
| HCS10FH120E1A2 | 碳化硅 | 100 | 半桥 | 1200 | Easy 1B |
| HCS30FF120E1A1 | 碳化硅 | 45 | H桥 | 1200 | Easy 1B |
| HCS400FH120BG | 碳化硅 | 400 | 半桥 | 1200 | Easy 1B |
碳化硅产品清单
直流/交流电网互联 NPC1
直流/交流电网互联 ANPC
直流/交流电网互联 NPC2
| 产品型号 | 芯片类型 | 电流（A）@25℃ | 拓扑结构 | 额定电压（V） | 封装 |
|---|---|---|---|---|---|
| HCS06FH120E2C1 | 碳化硅 | 200 | 半桥 | 1200 | Easy2B |
| HCS08FH120E2A2 | 碳化硅 | 160 | 半桥 | 1200 | Easy2B |
| HCH10FA120E2C1 | 混合 | 100 | ANPC | 1200 | Easy2B |
| HCS04FC120E2C2 | 碳化硅 | 200 | 斩波器 | 1200 | Easy2B |
| HCS05FH230E2B2 | 碳化硅 | 240 | 半桥 | 2300 | Easy 2B |
| HCS240FH120E2DM | 碳化硅 | 240 | 半桥 | 1200 | Easy2B |
| HCS350FH200E3 | 碳化硅 | 350 | 半桥 | 2000 | 便捷3B |
| HCS600FL120E3T1 | 碳化硅 | 600 | 三级 | 1200 | 便捷3B |
| HCS320FH120A2M | 碳化硅 | 320 | 半桥 | 1200 | 62mm |
| HCS350FH120A2M | 碳化硅 | 350 | 半桥 | 1200 | 62mm |
| HCS360FH120A2C1 | 碳化硅 | 360 | 半桥 | 1200 | 62mm |
| HCS400FH120A2BM | 碳化硅 | 400 | 半桥 | 1200 | 62mm |
| HCS540FH120A2A1 | 碳化硅 | 540 | 半桥 | 1200 | 62mm |
| HCS300FH170A2C1 | 碳化硅 | 300 | 半桥 | 1700 | 62mm |
| HCS400FH170A2C1 | 碳化硅 | 400 | 半桥 | 1700 | 62mm |
| HCS68FS120ST | 碳化硅 | 68 | 单刀开关 | 1200 | SOT-227 |
| HCS120FS120ST | 碳化硅 | 120 | 单刀开关 | 1200 | SOT-227 |
光伏导向设备与拓扑优化
从半导体结构到系统拓扑，每个细节都为光伏运行条件进行了优化。
光伏专用电压平台
650V / 1000V / 1200V / 1700V / 2200V等专用电压等级，符合主流和下一代光伏直流母线设计，包括1500V系统。
超低开关损耗和导通损耗
沟槽场停止型IGBT和平面栅SiC MOSFET显著降低动态和静态损耗，提高逆变器效率，降低热应力。
原生支持光伏拓扑结构
针对Boost、Dual Boost、FC Boost、NPC、ANPC、三电平和半桥等常用光伏逆变器和直流/直流转换阶段的拓扑结构进行优化。
为恶劣户外环境设计
高结温能力（最高达175°C）确保在高环境温度下的稳定运行和长寿命。
使用HIITIO构建您的下一代光伏系统
获得专家支持，选择适合您的光伏应用的IGBT或SiC模块。
系统导向的功率半导体专业知识
超越单个器件，HIITIO提供面向系统的功率半导体解决方案，适用于实际能源转换应用。
面向应用的功率半导体开发
关注实际应用场景，而非孤立的器件性能，长期参与可再生能源、电力电子和工业电力系统。
全面的电压和封装产品组合
从离散器件到集成功率模块全覆盖，支持从650V到2200V的电压等级，以及多种行业标准封装以满足不同功率需求。
拓扑和应用导向的产品选择
支持根据系统拓扑结构、直流母线电压、电流额定值、开关频率和热管理要求进行器件和模块的选择。
为可扩展性和长期可靠性而设计
产品和平台结构支持并行运行、电力扩展以及在苛刻环境中的稳定长期运行。
光伏模块系列解决方案常见问题
光伏发电模块选择常见问题解答
我应如何在光伏应用中选择IGBT和SiC模块？
建议在中低频、高功率系统中使用IGBT；高频、高效率系统中优先选择SiC。
你们支持1500V光伏系统吗？
是的，我们提供适用于1700V及更高电压等级的SiC模块解决方案。
你们支持并联扩展吗？
是的，多个模块适合并联运行和功率扩展。
你们可以提供定制包装或参数吗？
根据项目需求，提供设备和包装层面的定制支持。
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