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4500V 2000A IGBT 模块压力封装带FWD
- 超高压: 适用于苛刻应用的4500V击穿电压
- 高电流密度: 2000A连续电流额定值
- 压力封装技术: 卓越的热管理和可靠性
- 场停止结构: 提升开关性能和效率
- 正温度系数: 优异的并联特性
- 高短路能力: 10μs耐受时间以增强保护
描述
HCG2000S450S2K1是一款工业级IGBT模块，专为超高压应用设计。采用压力封装技术和先进的平面栅结构，在高压直流和可再生能源系统中提供无与伦比的性能。
最大额定值
| 参数 | 符号 | 条件 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 集电极-发射极电压 | VCES | VGE=0V，Tvj=25℃ | 4500 | V |
| 直流集电极电流 | lc | Tc=100℃, Tvj=150℃ | 2000 | A |
| 峰值集电极电流 | CM | tp=1ms | 4000 | A |
| 栅极-发射极电压 | VGES | ±20 | V | |
| 总功耗 | Ptot | Tc=25℃, Tvj=150℃ | 20800 | W |
| 直流正向电流 | IF | 2000 | A | |
| 峰值正向电流 | IFRM | tp=1ms | 4000 | A |
| 浪涌电流 | IFSM | VR=0V,Tvj=125℃， tp=10ms，半正弦波 | 14000 | A |
| IGBT短路耐受电流（SOA） | tpsc | Vcc=3400V,VCEM芯片≤4500V VGE≤15V，Tvj≤150℃ | 10 | μs |
| 最大结温 | Tvj（最大） | 125 | ℃ | |
| 结点工作温度 | Tv（工作） | -40~150 | ℃ | |
| 外壳温度 | Tc | -40~150 | ℃ | |
| 存储温度 | Tstg | -40~125 | ℃ | |
| 安装力 | FM | 60-75 | kN |
附加信息
| 模块 | IGBT |
|---|---|
| 封装 | 压力封装 |
| 阻断电压（V） | 4500 |
| 模块电流（A） | 2000 |
