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Módulo IGBT de paquete de prensa de 4500V 2000A con FWD
- Ultra alta tensión: Tensión de ruptura de 4500V para aplicaciones exigentes
- Alta Densidad de Corriente: Capacidad de corriente continua de 2000A
- Tecnología de paquete de prensa: Gestión térmica superior y fiabilidad
- Estructura de parada de campo: Rendimiento de conmutación y eficiencia mejorados
- Coeficiente de temperatura positivo: Características excelentes de paralelismo
- Alta capacidad de cortocircuito: Tiempo de resistencia de 10μs para protección mejorada
Descripción
El HCG2000S450S2K1 es un módulo IGBT de grado industrial diseñado específicamente para aplicaciones de ultra alta tensión. Con tecnología de prensa y estructura avanzada de puerta plana, este módulo ofrece un rendimiento inigualable en sistemas HVDC y energías renovables.
Valores Máximos Nominales
| Parámetro | Símbolo | Condiciones | Valor | Unidad |
|---|---|---|---|---|
| Voltaje colector-emisor | VCE(S) | VGE=0V, Tvj=25℃ | 4500 | V |
| Corriente de colector en corriente continua | lc | Tc=100℃, Tvj=150℃ | 2000 | A |
| Corriente de colector máxima | CM | tp=1ms | 4000 | A |
| Voltaje puerta-emisor | VGES | ±20 | V | |
| Disipación total de potencia | Ptot | Tc=25℃, Tvj=150℃ | 20800 | W |
| Corriente Directa Continua | IF | 2000 | A | |
| Corriente Directa Pico | IFRM | tp=1ms | 4000 | A |
| Corriente de Picos | IFSM | VR=0V, Tvj=125℃, tp=10ms, onda sinusoidal semicircular | 14000 | A |
| SOA de cortocircuito del IGBT | tpsc | Vcc=3400V, VCEM CHIP≤4500V VGE≤15V, Tvj≤150℃ | 10 | μs |
| Temperatura máxima de unión | Tvj(máx) | 125 | ℃ | |
| Temperatura de funcionamiento de la unión | Tv(op) | -40~150 | ℃ | |
| Temperatura de la carcasa | Tc | -40~150 | ℃ | |
| Temperatura de almacenamiento | Tstg | -40~125 | ℃ | |
| Fuerza de montaje | FM | 60-75 | kN |
Información adicional
| Módulo | IGBT |
|---|---|
| Paquete | Paquete de prensa |
| Tensión de Bloqueo (V) | 4500 |
| Corriente del Módulo (A) | 2000 |
