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Módulo IGBT de paquete de prensa con paquete de empaquetado con FWD de 4500V 3000A
- Clasificación máxima de corriente: Corriente continua de 3000A para manejo de potencia máxima
- Ultra alta tensión: Capacidad de voltaje colector-emisor de 4500V
- Diseño avanzado de paquete de prensa: Rendimiento térmico y mecánico optimizado
- Rendimiento superior de conmutación: Pérdidas de conmutación bajas con diodo de recuperación rápida
- Alta Robustez: Capacidad excepcional de cortocircuito (10μs)
- Coeficiente de temperatura positivo: Excelente para operación en paralelo
Descripción
El HCG3000S450S1K1 representa la cúspide de la tecnología IGBT, ofreciendo la clasificación de corriente más alta en nuestra familia de 4500V. Este módulo de paquete de prensa está diseñado para las aplicaciones de alta potencia más exigentes en energías renovables y sistemas de transmisión de energía.
Valores Máximos Nominales
| Parámetro | Símbolo | Condiciones | Valor | Unidad |
|---|---|---|---|---|
| Voltaje colector-emisor | VCE(S) | VGE=0V, Tvj=25℃ | 4500 | V |
| Corriente de colector en corriente continua | lc | Tc=100℃, Tvj=150℃ | 3000 | A |
| Corriente de colector máxima | CM | tp=1ms | 6000 | A |
| Voltaje puerta-emisor | VGES | ±20 | V | |
| Disipación total de potencia | Ptot | Tc=25℃, Tvj=150℃ | 31200 | W |
| Corriente Directa Continua | IF | 3000 | A | |
| Corriente Directa Pico | IFRM | tp=1ms | 6000 | A |
| Corriente de Picos | IFSM | VR=0V, Tvj=125℃, tp=10ms, onda sinusoidal semicircular | 21000 | A |
| SOA de cortocircuito del IGBT | tpsc | Vcc=3400V, VCEM CHIP≤4500V VGE≤15V, Tvj≤125℃ | 10 | μs |
| Temperatura máxima de unión | Tvj(máx) | 125 | ℃ | |
| Temperatura de funcionamiento de la unión | Tv(op) | -40~125 | ℃ | |
| Temperatura de la carcasa | Tc | -40~125 | ℃ | |
| Temperatura de almacenamiento | Tstg | -40~70 | ℃ | |
| Fuerza de montaje | FM | 80-100 | kN |
Información adicional
| Módulo | IGBT |
|---|---|
| Paquete | Paquete de prensa |
| Tensión de Bloqueo (V) | 4500 |
| Corriente del Módulo (A) | 3000 |
