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3300V 1500A IGBT模块H封装带FWD
- 增强电流额定值: 1500A直流集电极电流，提升功率密度
- 低导通损耗: 优化的VCE(sat)特性（2.45V-3.80V）
- 高鲁棒性: 先进的芯片设计，确保卓越的可靠性
- 热性能卓越: 150°C结温工作能力
- 集成正向整流: 内置的自由轮回二极管，提供完整的电力开关解决方案
描述
HCG1500S330H2K1代表下一代功率半导体技术，在紧凑的H封装中提供卓越性能。该模块专为最苛刻的电力转换应用而设计。
最大额定值
| 参数 | 符号 | 条件 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 集电极-发射极电压 | VCES | VGE=0V，Tvj=25℃ | 3300 | V |
| 直流集电极电流 | lc | Tc=100℃, Tvj=150℃ | 1500 | A |
| 峰值集电极电流 | CM | tp=1ms | 3000 | A |
| 栅极-发射极电压 | VGES | ±20 | V | |
| 总功耗 | Ptot | Tc=25℃, Tvj=150℃ | 16 | kW |
| 直流正向电流 | IF | 1500 | A | |
| 峰值正向电流 | IFRM | tp=1ms | 3000 | A |
| 浪涌电流 | IFSM | VR=0V,Tvj=150℃, tp=10ms，半正弦波 | 13500 | A |
| IGBT短路耐受电流（SOA） | tpsc | Vcc=2500V，VCEM芯片≤3300V VGE≤15V，Tvj≤150℃ | 10 | μs |
| 最大结温 | Tvj（最大） | 150 | ℃ | |
| 结点工作温度 | Tv（工作） | -40~150 | ℃ | |
| 外壳温度 | Tc | -40~150 | ℃ | |
| 存储温度 | Tstg | -40~125 | ℃ |
附加信息
| 模块 | IGBT |
|---|---|
| 封装 | H |
| 阻断电压（V） | 3300 |
| 模块电流（A） | 1500 |
