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Módulo IGBT de alta tensión 3300V 1500A con paquete H y FWD
- Calificación de Corriente Mejorada: Corriente de colector DC de 1500A para mayor densidad de potencia
- Bajas Pérdidas por Conducción: Características optimizadas de VCE(sat) (2.45V-3.80V)
- Alta Robustez: Diseño avanzado de chip para una fiabilidad excepcional
- Excelencia Térmica: Capacidad de temperatura de funcionamiento de unión de 150°C
- FWD Integrado: Diodo de rueda libre incorporado para una solución completa de conmutación de potencia
Descripción
El HCG1500S330H2K1 representa la próxima generación de tecnología de semiconductores de potencia, ofreciendo un rendimiento superior en un paquete H compacto. Este módulo está diseñado para las aplicaciones de conversión de potencia más exigentes.
Valores Máximos Nominales
| Parámetro | Símbolo | Condiciones | Valor | Unidad |
|---|---|---|---|---|
| Voltaje colector-emisor | VCE(S) | VGE=0V, Tvj=25℃ | 3300 | V |
| Corriente de colector en corriente continua | lc | Tc=100℃, Tvj=150℃ | 1500 | A |
| Corriente de colector máxima | CM | tp=1ms | 3000 | A |
| Voltaje puerta-emisor | VGES | ±20 | V | |
| Disipación total de potencia | Ptot | Tc=25℃, Tvj=150℃ | 16 | kW |
| Corriente Directa Continua | IF | 1500 | A | |
| Corriente Directa Pico | IFRM | tp=1ms | 3000 | A |
| Corriente de Picos | IFSM | VR=0V, Tvj=150℃, tp=10ms, onda sinusoidal semicircular | 13500 | A |
| SOA de cortocircuito del IGBT | tpsc | Vcc=2500V, VCEM CHIP≤3300V VGE≤15V, Tvj≤150℃ | 10 | μs |
| Temperatura máxima de unión | Tvj(máx) | 150 | ℃ | |
| Temperatura de funcionamiento de la unión | Tv(op) | -40~150 | ℃ | |
| Temperatura de la carcasa | Tc | -40~150 | ℃ | |
| Temperatura de almacenamiento | Tstg | -40~125 | ℃ |
Información adicional
| Módulo | IGBT |
|---|---|
| Paquete | H |
| Tensión de Bloqueo (V) | 3300 |
| Corriente del Módulo (A) | 1500 |
