Photovoltaik-Modul-Lösung

  • 650V / 1000V / 1200V IGBTs, optimiert für PV-Anwendungen, mit ultra-niedrigen statischen und dynamischen Verlusten für höhere Systemeffizienz.

  • 2000V SiC BOOST-Bauelemente, die das MPPT-Design vereinfachen und die Gesamteffizienz verbessern.

  • Erweiterte Easy3B- und Easy2B-Pakete mit individuell angepassten Pin-Layouts, die verschiedene PV-String-Konfigurationen und den Betrieb bei hohen Temperaturen bis zu 175 °C unterstützen.

  • Hohe Geräte-Konsistenz und ausgezeichnete Stromverteilung, ermöglichen zuverlässigen Parallelbetrieb und einfache Systemskalierung.

  • Optimierte Lösungen, die auf Anwendungs- und Überlastanforderungen zugeschnitten sind, einschließlich Anpassung von Gehäuse- und Chip-Konfigurationen.

Einführung in die PV-Modul-Serienlösung

Einsatz von hocheffizienten Graben-Feldstop-IGBTs und Planar-Gate SiC-MOSFETs in Kombination mit hochzuverlässigen Easy2B / Easy3B / 62mm-Gehäusen, um die Energieumwandlungseffizienz von Photovoltaik-Kraftwerken zu steigern und die Systemzuverlässigkeit zu verbessern, abgedeckt das gesamte Spektrum von String- und zentralisierten Photovoltaik-Systemen.

IGBT-Produktliste

DC/AC-Netzanschluss NPC1

Anwendung Topologie ANPC

DC/AC-Netzanschluss ANPC

Anwendung Topologie NPC2

DC/AC-Netzanschluss NPC2

ProduktmodellChip-TypenIc(A)@25℃TopologieNennspannung(V)Verpackung
HCG600FL120E3T1Hybrid6003-stufig1200Econo Dual 3A
HCG600FL110E3T1Hybrid6003-stufig1100Econo Dual 3A
HCS600FH120M2SiC600Halbbrücke1200Econo Dual 3A
HCS450FH120M2SiC450Halbbrücke1200Econo Dual 3A
HCS670FH120M2SiC670Halbbrücke1200Econo Dual 3A
HCS450FH220MSiC450Halbbrücke2200Econo Dual 3A
HCS600FH220MSiC600Halbbrücke2200Econo Dual 3A
HCS300FH120MSiC300Halbbrücke1200Econo Dual 3A
HCS600FH120D5B3SiC600Halbbrücke1200Econo Dual3C
HCS05FH120E1R1SiC150Halbbrücke1200Easy 1B
HCS10FH120E1A2SiC100Halbbrücke1200Easy 1B
HCS30FF120E1A1SiC45H-Brücke1200Easy 1B
HCS400FH120BGSiC400Halbbrücke1200Easy 1B

SiC Produktliste

DC/AC-Netzanschluss NPC1

Anwendungs-Topologie_Dual_Boost-1

DC/AC-Netzanschluss ANPC

Anwendungs-Topologie_FC_Boost-1

DC/AC-Netzanschluss NPC2

ProduktmodellChip-TypenIc(A)@25℃TopologieNennspannung(V)Verpackung
HCS06FH120E2C1SiC200Halbbrücke1200Easy2B
HCS08FH120E2A2SiC160Halbbrücke1200Easy2B
HCH10FA120E2C1Hybrid100ANPC1200Easy2B
HCS04FC120E2C2SiC200Chopper1200Easy2B
HCS05FH230E2B2SiC240Halbbrücke2300Easy 2B
HCS240FH120E2DMSiC240Halbbrücke1200Easy2B
HCS350FH200E3SiC350Halbbrücke2000Einfach 3B
HCS600FL120E3T1SiC6003-stufig1200Einfach 3B
HCS320FH120A2MSiC320Halbbrücke120062mm
HCS350FH120A2MSiC350Halbbrücke120062mm
HCS360FH120A2C1SiC360Halbbrücke120062mm
HCS400FH120A2BMSiC400Halbbrücke120062mm
HCS540FH120A2A1SiC540Halbbrücke120062mm
HCS300FH170A2C1SiC300Halbbrücke170062mm
HCS400FH170A2C1SiC400Halbbrücke170062mm
HCS68FS120STSiC68Einzelner Schalter1200SOT-227
HCS120FS120STSiC120Einzelner Schalter1200SOT-227

PV-orientiertes Gerät & Topologieoptimierung

Vom Halbleiteraufbau bis zur Systemtopologie wird jedes Detail für photovoltaic-Betriebsbedingungen optimiert.

PV-spezifische Spannungsplattformen

Dedizierte Spannungsbereiche von 650V / 1000V / 1200V / 1700V / 2200V entsprechen den Mainstream- und Next-Generation-PV-Gleichstrombus-Designs, einschließlich 1500V-Systemen.

Ultra-niedrige Schalt- und Leitungsverluste

Trench-Feld-Stop IGBTs und Planar-Gate SiC MOSFETs reduzieren sowohl dynamische als auch statische Verluste erheblich, verbessern die Wechselrichtereffizienz und verringern die thermische Belastung.

Native Unterstützung für PV-Topologien

Optimiert für Boost-, Dual-Boost-, FC-Boost-, NPC-, ANPC-, 3-Level- und Half-Bridge-Topologien, die in PV-Wechselrichtern und DC/DC-Stufen üblich sind.

Entwickelt für raue Außenumgebungen

Hohe Sperrschichttemperaturfähigkeit (bis zu 175°C) gewährleistet einen stabilen Betrieb bei hohen Umgebungstemperaturen und eine lange Lebensdauer.

Bauen Sie Ihr nächstes PV-System mit HIITIO

Erhalten Sie fachkundige Unterstützung bei der Auswahl des richtigen IGBT- oder SiC-Moduls für Ihre PV-Anwendung.

Systemorientierte Leistungshalbleiter-Expertise

Neben einzelnen Bauteilen bietet HIITIO systemorientierte Leistungshalbleiterlösungen für reale Energieumwandlungsanwendungen.

Anwendungsorientierte Entwicklung von Leistungshalbleitern

Fokus auf reale Anwendungsszenarien anstatt isolierter Geräteleistung, mit langfristiger Beteiligung an erneuerbaren Energien, Leistungselektronik und industriellen Energiesystemen.

Umfassendes Spannungs- und Verpackungsportfolio

Vollständige Abdeckung von diskreten Bauteilen bis hin zu integrierten Leistungsmodule, Unterstützung von Spannungsbereichen von 650V bis 2200V und mehreren branchenüblichen Gehäusen für unterschiedliche Leistungsstufen.

Topologie- und anwendungsbasierte Produktauswahl

Unterstützung bei der Auswahl von Bauteilen und Modulen basierend auf Systemtopologie, DC-Bus-Spannung, Strombelastbarkeit, Schaltfrequenz und thermischen Anforderungen.

Entwickelt für Skalierbarkeit und langfristige Zuverlässigkeit

Produkte und Plattformen sind so strukturiert, dass sie parallelen Betrieb, Leistungsskalierung und stabile Langzeitfunktion in anspruchsvollen Umgebungen unterstützen.

Anwendungsszenarien

Abdeckung der wichtigsten Energieumwandlungsphasen in Photovoltaik- und PV-plus-Speichersystemen.

PV-Wechselrichter

DC/DC-Boost-Konverter

Netzgekoppelte Konverter

PV+Energiespeichersysteme

FAQ zur PV-Modulserienlösung

Häufig gestellte Fragen zur Auswahl von Photovoltaik-Leistungskarten

IGBT wird für mittel- bis niedrigfrequente, leistungsstarke Systeme empfohlen; SiC ist bevorzugt für hochfrequente, hocheffiziente Systeme.

Ja, wir bieten SiC-Modul-Lösungen für 1700V und höhere Spannungsniveaus an.

Ja, mehrere Module sind für den Parallelbetrieb und die Leistungsskalierung geeignet.

Anpassungsunterstützung auf Geräte- und Verpackungsebene ist je nach Projektanforderungen verfügbar.

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