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2300V 半桥 SiC MOSFET 模块
- 5mΩ / 2300 V SiC MOSFET 半桥
- Si3N4 AMB
- NTC 热敏电阻
- 低电感布局
- 可焊接引脚
- 隔离底板
描述
HCS05FH230E2B2 是一款先进的 SiC MOSFET 模块，具有 2300V 电压额定值和超低 5mΩ 导通电阻。采用 Si₃N₄ AMB 技术的半桥拓扑结构，封装在 Easy2B 结构中，具有高效散热和机械强度。
| 最大额定值 |
|||
| 额定值 | 符号 | 数值 | 单位 |
| 漏极-源极电压 | VDsS | 2300 | V |
| 栅极-源极电压 | VGs | +22/-10 | V |
| 在 Tc=80℃ 时的连续漏极电流（TJ=175℃） | IDS | 240 | A |
| 在 TJ=175℃ 时的脉冲漏极电流 | IDPulse | 300 | A |
| 在 Tc=80℃ 时的最大功率耗散（TJ=175℃） | Ptot | 800 | W |
| 最低工作结点温度 | TJMIN | -40 | ℃ |
| 最高工作结点温度 | TJMAX | 175 | ℃ |
附加信息
| 模块 | 碳化硅MOSFET |
|---|---|
| 封装 | Easy 2B |
| 阻断电压（V） | 2300 |
