SiC 离散场效应晶体管

离散碳化硅肖特基二极管旨在实现高效率和精确控制，具有优异的高温耐受性、电压容忍度和高频响应。广泛应用于工业自动化、汽车电子和能源管理系统，提供稳定高效的电力转换解决方案。

零件编号	类型	封装	阻断电压（V）	电流（A）	RDS(on)（mΩ）	规格参数
HCD5G02120A	碳化硅SBD	TO-220-2	1200	2		下载
HCD5G04065A	碳化硅SBD	TO-220-2	650	4		下载
HCD5G06065M	碳化硅SBD	DFN8*8	650	6		下载
HCD5G120120P	碳化硅SBD	SOT-227	1200	120		下载
HCD5G16120D	碳化硅SBD	TO-247-3	1200	16		下载
HCD5G20120D	碳化硅SBD	TO-247-3	1200	20		下载
HCD5G20120H	碳化硅SBD	TO-247-2	1200	20		下载
HCD5G40120D	碳化硅SBD	TO-247-3	1200	40		下载
HCD5G40120H	碳化硅SBD	TO-247-2	1200	40		下载
HCD5G60120H	碳化硅SBD	TO-247-2	1200	60		下载
HCM13S12T4K3A	碳化硅MOSFET	TO-247-4L	1200		13	下载
HCM2G0040120D	碳化硅MOSFET	TO-247-3	1200	75	37	下载
HCM2G0040120K	碳化硅MOSFET	TO-247-4	1200	75	37	下载
HCM2G0080120D	碳化硅MOSFET	TO-247-3	1200	42	75	下载
HCM2G0080120K	碳化硅MOSFET	TO-247-4	1200	42	75	下载
HCM2G0650170D	碳化硅MOSFET	TO-247-3	1700	9	650	下载
HCM2G0650170F	碳化硅MOSFET	TO-220F-3	1700			下载
HCM2G0650170J	碳化硅MOSFET	TO-263-7	1700			下载
HCM32S12T4K2	碳化硅MOSFET	TO-247-4L	1200		32
HCM32S12T4K2B	碳化硅MOSFET	TO-247-4L	1200		32	下载

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