Módulo IGBT de 1700V 1200A, Chopper, Paquete E6, con FWD y NTC

  • Estructura de Canaleta de 1700V y Parada de Campo para un rendimiento óptimo
  • Alta fiabilidad en entornos exigentes
  • Coeficiente de Temperatura Positivo para estabilidad térmica
  • FWD integrado con diodos de freno-chopper (600A) y diodos de reversa (200A) separados
  • Estructura de Chopper para una mayor eficiencia en conmutación
Categoría:

Descripción

El HCG1200FC170D3K5 es un potente módulo IGBT de 1700V 1200A con estructura de chopper, diseñado para aplicaciones industriales de alta potencia. Con un paquete E6 con diodo de rueda libre (FWD) y termistor NTC integrados, incorpora tecnología avanzada de canaleta de 1700V y parada de campo para bajas pérdidas, alta fiabilidad y protección robusta contra cortocircuitos. Este módulo es perfecto para una gestión eficiente de energía en sistemas de energías renovables e industriales.

Clasificaciones máximas

Parámetro Símbolo Condición Valor Unidad
Voltaje colector-emisor VCE(S) VGE=0V, Tvj=25°C 1700 V
Corriente de colector en corriente continua IC TC=95°C, Tvj máx=175°C 1200 A
Corriente de colector máxima ICM tp=1ms 2400 A
Voltaje pico entre puerta y emisor VGES ±20 V
Disipación máxima de potencia del IGBT Ptot TC=25°C, Tvj máximo=175°C 5555 W
Voltaje inverso pico repetitivo VRRM Tvj=25°C 1700 V
Corriente continua de avance DC (Diodo de freno-chopper) IF 600 A
Corriente continua de avance DC (Diodo de reversa) IF 200 A
Corriente máxima de avance repetitiva (Diodo de freno-chopper) IFRM tp=1ms 1200 A
Corriente máxima de avance repetitiva (Diodo de reversa) IFRM tp=1ms 400 A
Valor I²t (Diodo de freno-chopper) I²t VR=0V, tp=10ms, Tvj=125°C 58650 A²s
Valor I²t (Diodo de reversa) I²t VR=0V, tp=10ms, Tvj=125°C 6615 A²s
Temperatura máxima de unión Tvj máximo 175 °C
Temperatura de unión de funcionamiento Tvj operativo -40 a 150 °C
Temperatura de almacenamiento Tstg -40 a 125 °C

Información adicional

Módulo

IGBT

Paquete

E6

Diagrama de Circuito

Conmutador

Tensión de Bloqueo (V)

1700

Corriente del Módulo (A)

1200

¿Cómo podemos ayudarte?

Obtén una solución personalizada de IGBT

Cuéntanos los requisitos de tu proyecto y nuestro equipo de ingeniería te ofrecerá recomendaciones personalizadas en 24 horas.

Formulario de publicidad

Descargar recursos

Accede a hojas de datos y conocimientos profundos sobre semiconductores IGBT para apoyar tu próximo proyecto.

Formulario emergente de SEO

Impulsado por HIITIO – Todos los derechos reservados.  Política privada

Manténgase en contacto

Reciba actualizaciones clave y conocimientos sobre IGBT antes de irse.

Formulario de retención

Hable con nuestros expertos en productos

Formulario de contacto