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Módulo de MOSFET SiC de media puente de 2300V
- Media puente de MOSFET SiC de 5mΩ / 2300 V
- AMB de Si₃N₄
- Termistor NTC
- Diseño de baja inductancia
- Pines soldables
- Placa base aislada
Descripción
HCS05FH230E2B2 es un módulo de MOSFET SiC de vanguardia que presenta una clasificación de voltaje de 2300V y una resistencia en estado de ultra baja de 5mΩ. Adopta una topología de media puente con tecnología AMB de Si₃N₄ y está encerrado en un paquete Easy2B para una disipación de calor eficiente y resistencia mecánica.
| RATINGS MÁXIMOS | |||
| Clasificación | Símbolo | Valor | Unidad |
| Voltaje entre drenaje y fuente | VdsS | 2300 | V |
| Voltaje entre puerta y fuente | Vgs | +22/-10 | V |
| Corriente continua de drenaje @Tc=80(TJ=175℃) | Ids | 240 | A |
| Corriente de pulso de drenaje (TJ=175℃) | IDPulso | 300 | A |
| Disipación máxima de potencia @Tc=80℃(TJ=175℃) | Ptot | 800 | W |
| Temperatura mínima de unión de funcionamiento | TJMIN | -40 | ℃ |
| Temperatura máxima de unión de funcionamiento | TJMAX | 175 | ℃ |
Información adicional
| Módulo | MOSFET de Carburo de Silicio (SiC) |
|---|---|
| Paquete | Fácil 2B |
| Tensión de Bloqueo (V) | 2300 |
