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3300V 1500A IGBT-Modul H-Paket mit FWD
- Erhöhte Strombelastbarkeit: 1500A DC-Sammlerstrom für höhere Leistungsdichte
- Geringe Leitungsverluste: Optimierte VCE(sat)-Eigenschaften (2,45V-3,80V)
- Hohe Robustheit: Fortschrittliches Chip-Design für außergewöhnliche Zuverlässigkeit
- Thermische Exzellenz: 150°C Sperrschichtbetriebstemperaturfähigkeit
- Integrierter FWD: Eingebautes Freilaufdiode für eine vollständige Leistungsschaltlösung
Beschreibung
Der HCG1500S330H2K1 repräsentiert die nächste Generation der Leistungshalbleitertechnologie und bietet überlegene Leistung in einem kompakten H-Gehäuse. Dieses Modul ist für die anspruchsvollsten Anwendungen der Leistungsumwandlung entwickelt.
Maximale Nennwerte
| Parameter | Symbol | Bedingungen | Wert | Einheit |
|---|---|---|---|---|
| Kollektor-Emitter-Spannung | VCES | VGE=0V, Tvj=25°C | 3300 | V |
| Gleichstromkollektorstrom | lc | Tc=100°C, Tvj=150°C | 1500 | A |
| Spitzenkollektorstrom | CM | tp=1ms | 3000 | A |
| Gate-Emitter-Spannung | VGES | ±20 | V | |
| Gesamtleistungsaufnahme | Ptot | Tc=25°C, Tvj=150°C | 16 | kW |
| Gleichstromdurchlassstrom | IF | 1500 | A | |
| Spitzen-Gleichstrom | IFRM | tp=1ms | 3000 | A |
| Stoßstrom | IFSM | VR=0V, Tvj=150℃, tp=10ms, Halbsinuswelle | 13500 | A |
| IGBT Kurzschluss-SOA | tpsc | Vcc=2500V, VCEM CHIP≤3300V VGE≤15V, Tvj≤150℃ | 10 | μs |
| Maximaler Verbindungspunkt-Temperatur | Tvj(max) | 150 | ℃ | |
| Betriebstemperatur der Verbindung | Tv( Betrieb) | -40~150 | ℃ | |
| Gehäusetemperatur | Tc | -40~150 | ℃ | |
| Betriebstemperatur | Tstg | -40~125 | ℃ |
Zusätzliche Informationen
| Modul | IGBT |
|---|---|
| Gehäuse | H |
| Sperrspannung (V) | 3300 |
| Modulstrom (A) | 1500 |
