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L200V 13mΩ 碳化硅功率MOSFET TO-247-4L
- 高阻断电压（1200V）与超低RDS(on) 13mΩ
- 高速开关，寄生电容低
- 易于并联操作，门极驱动简单
- 在最高175℃结温下性能稳定
- 无卤素，符合RoHS标准
- 适用于谐振拓扑结构
描述
HCM32S12T4K2是一款1200V 32mΩ碳化硅（SiC）功率MOSFET，采用TO-247-4L封装，设计用于高效高可靠性应用。采用第三代碳化硅MOSFET技术，具有低导通电阻、高速开关和优异的热性能。
最大额定值
| 参数 | 符号 | 条件 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDS 最大值 | VGs=0V，Ip=100μA | 1200 | V |
| 栅源电压 | VGS 最大值 | 绝对最大值 | -10/+22 | V |
| VGS 工作电压 | 推荐工作值 | -5/+18 | V | |
| 连续漏极电流 | ID | VGs=18V，Tc=25℃ | 155 | A |
| VGs=18V，Tc=100℃ | 110 | |||
| 脉冲漏极电流 | ID 脉冲 | 脉冲宽度 tp 受 Tvjmax 限制 | 310 | A |
| 功率耗散 | PD | Tc=25℃，Tvjmax=175℃ | 555 | W |
| 工作结温 | Tvjop | -55~175 | ℃ | |
| 存储温度范围 | Tstg | -55~175 | ℃ |
附加信息
| 模块 | 碳化硅MOSFET |
|---|---|
| 封装 | TO-247-4L |
| 阻断电压（V） | 1200 |
| RDS(on)（mΩ） | 13 |
