首页 SiC 模块 ED3 1700V 600A 碳化硅功率模块 ED3 1700V 600A 碳化硅功率模块 HCS600FH170D3C1 是一款半桥硅碳化硅 MOSFET 功率模块。它集成了为电机驱动和可再生能源等应用设计的高性能硅碳化硅 MOSFET 芯片。 类别： SiC 模块 模块 选择一个选项碳化硅 封装 选择一个选项经济型双路3A 特性 选择一个选项C1 电路图 选择一个选项半桥 阻断电压（V） 选择一个选项1700 模块电流（A） 选择一个选项600 RDS(on)（mΩ） 选择一个选项3.4 最高结温（℃） 选择一个选项175清除 描述 附加信息 描述 特点 击穿电压：1700V RDS(on) =3.4毫欧@ Tj=25℃ 具有低热阻的硅氮化物陶瓷绝缘基板 最高结点温度175°C 内部装有热敏电阻 低开关损耗 应用 电动车应用 电机驱动 车辆快速充电器 智能电网/并网分布式发电 附加信息 模块 碳化硅 封装 经济型双路3A 特性 C1 电路图 半桥 阻断电压（V） 1700 模块电流（A） 600 RDS(on)（mΩ） 3.4 最高结温（℃） 175 相关产品 62mm 1200V 360A 硅碳化物功率模块 E0 1200V 150A 硅碳化物功率模块 2300V 半桥 SiC MOSFET 模块 62mm 1200V 200A 硅碳化物功率模块
描述 特点 击穿电压：1700V RDS(on) =3.4毫欧@ Tj=25℃ 具有低热阻的硅氮化物陶瓷绝缘基板 最高结点温度175°C 内部装有热敏电阻 低开关损耗 应用 电动车应用 电机驱动 车辆快速充电器 智能电网/并网分布式发电 附加信息 模块 碳化硅 封装 经济型双路3A 特性 C1 电路图 半桥 阻断电压（V） 1700 模块电流（A） 600 RDS(on)（mΩ） 3.4 最高结温（℃） 175
ZH 
EN 
DE 
ES 
