首页 SiC 模块 ED3 1200V 600A 硅碳化硅功率模块 ED3 1200V 600A 硅碳化硅功率模块 HCS600FH120D3C1是一款半桥SiC MOSFET功率模块。它集成了高性能的SiC MOSFET芯片，设计用于电机驱动和可再生能源等应用。 类别： SiC 模块 模块 选择一个选项碳化硅 封装 选择一个选项经济型双路3A 特性 选择一个选项C1 电路图 选择一个选项半桥 阻断电压（V） 选择一个选项1200 模块电流（A） 选择一个选项600 RDS(on)（mΩ） 选择一个选项3.2 最高结温（℃） 选择一个选项175清除 描述 附加信息 描述 特点 击穿电压 1200V RDS(on) = 3.2mΩ@VGS = 18V 具有低热阻的硅氮化物陶瓷绝缘基板 最高结点温度175°C 内部装有热敏电阻 低开关损耗 应用 电动车应用 电机驱动 车辆快速充电器 智能电网/并网分布式发电 附加信息 模块 碳化硅 封装 经济型双路3A 特性 C1 电路图 半桥 阻断电压（V） 1200 模块电流（A） 600 RDS(on)（mΩ） 3.2 最高结温（℃） 175 相关产品 ED3H 1200V 600A 碳化硅功率模块 ED3H 1200V 800A 硅碳化物功率模块 E2 1200V 200A 碳化硅功率模块 ED3 1700V 600A 碳化硅功率模块
描述 特点 击穿电压 1200V RDS(on) = 3.2mΩ@VGS = 18V 具有低热阻的硅氮化物陶瓷绝缘基板 最高结点温度175°C 内部装有热敏电阻 低开关损耗 应用 电动车应用 电机驱动 车辆快速充电器 智能电网/并网分布式发电 附加信息 模块 碳化硅 封装 经济型双路3A 特性 C1 电路图 半桥 阻断电压（V） 1200 模块电流（A） 600 RDS(on)（mΩ） 3.2 最高结温（℃） 175
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