首页 SiC/硅混合模块 E4 1200V 300A 碳化硅功率模块 E4 1200V 300A 碳化硅功率模块 HCH10FA120E2C1是一款三级功率模块，集成了1200V硅碳化硅MOSFET芯片和1200V IGBT芯片。它适用于太阳能逆变器、高频开关和储能系统等应用。 类别： SiC/硅混合模块 模块 选择一个选项碳化硅/硅混合 封装 选择一个选项HPD 特性 选择一个选项C1 电路图 选择一个选项ANPC 阻断电压（V） 选择一个选项1200 模块电流（A） 选择一个选项300 RDS(on)（mΩ） 选择一个选项4.3清除 描述 附加信息 描述 特点 阻断电压：1200V Rds(on)：4.3毫欧 @ VGS = 18V 低开关损耗 高电流密度 PressFIT接触技术 最高结点温度175°C 内置热敏电阻 应用 太阳能逆变器系统 三级应用 储能系统 高频开关应用 附加信息 模块 碳化硅/硅混合 封装 HPD 特性 C1 电路图 ANPC 阻断电压（V） 1200 模块电流（A） 300 RDS(on)（mΩ） 4.3 相关产品 ED3 1200V 900A 碳化硅功率模块 F0 1200V 50A 碳化硅功率模块 EconoPIM2 1200V 100A 碳化硅功率模块
描述 特点 阻断电压：1200V Rds(on)：4.3毫欧 @ VGS = 18V 低开关损耗 高电流密度 PressFIT接触技术 最高结点温度175°C 内置热敏电阻 应用 太阳能逆变器系统 三级应用 储能系统 高频开关应用 附加信息 模块 碳化硅/硅混合 封装 HPD 特性 C1 电路图 ANPC 阻断电压（V） 1200 模块电流（A） 300 RDS(on)（mΩ） 4.3
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