E0 1200V 150A 硅碳化物功率模块

The HCS09FC120E1Q1 is a half bridge SiC MOSFET Power Module. It integrates high
performance SiC MOSFET chips designed for applications such as Solar Inverter Systems, Fuel cell-DC/DC converters, Uninterruptible Power suppliers, and Energy Storage Systems.

类别:

描述

特点

  • 阻断电压:1200V
  • 在25°C时的Rds(on)为9.2毫欧姆
  • 在75°C时的电流为150A
  • 最高结点温度175°C
  • 采用Si3N4AMB,具有低热阻
  • 低开关损耗
  • 内部装有热敏电阻

应用

  • 电动车应用
  • 转换器
  • 车辆快速充电器
  • 可再生能源

附加信息

模块

碳化硅

封装

Easy 1B

特性

Q1

电路图

FT:三相

阻断电压(V)

1200

模块电流(A)

150

RDS(on)(mΩ)

9

最高结温(℃)

175

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