首页 SiC 离散场效应晶体管 650V 6A 碳化硅肖特基二极管 650V 6A 碳化硅肖特基二极管 VRRM = 650 V IF（TC=159 ℃）= 6 A QC = 22 nC 类别： SiC 离散场效应晶体管 模块 选择一个选项 封装 选择一个选项DFN8*8 阻断电压（V） 选择一个选项650 模块电流（A） 选择一个选项6 最高结温（℃） 选择一个选项159清除 描述 附加信息 描述 特点 650V肖特基整流器 零反向恢复电流 高频操作 温度无关的开关 极快的开关速度 优势 用单极整流器取代双极整流器 基本无开关损耗 高效率 降低散热器需求 并联器件避免热失控 应用 开关模式电源 PFC中的升压二极管 DC/DC转换器 AC/DC转换器 逆变器中的续流二极管 最大额定值 除非另有说明，Tc=25°C 附加信息 模块 碳化硅SBD 封装 DFN8*8 阻断电压（V） 650 模块电流（A） 6 最高结温（℃） 159 相关产品 L200V 13mΩ 碳化硅功率MOSFET TO-247-4L 650V 4A 碳化硅肖特基二极管 1200V 75mΩ 碳化硅功率MOSFET TO-247-4L 1200V 32mΩ 碳化硅功率MOSFET TO-247-4L
描述 特点 650V肖特基整流器 零反向恢复电流 高频操作 温度无关的开关 极快的开关速度 优势 用单极整流器取代双极整流器 基本无开关损耗 高效率 降低散热器需求 并联器件避免热失控 应用 开关模式电源 PFC中的升压二极管 DC/DC转换器 AC/DC转换器 逆变器中的续流二极管 最大额定值 除非另有说明，Tc=25°C 附加信息 模块 碳化硅SBD 封装 DFN8*8 阻断电压（V） 650 模块电流（A） 6 最高结温（℃） 159
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