650V 150A IGBT 功率

  • 集电极-发射极电压 (VCES):650V
  • 直流集电极电流 (ICDC): 125A
  • 重复峰值集电极电流 (ICRM): 300A
  • 总功耗 (Ptot): 173W
  • 门极-发射极电压 (VGES): ±20V
  • 工作结温 (Tj): 高达 175°C
  • 绝缘电压(Visol):3.0kV RMS
类别:

描述

HCG150FL065E2RB 是由浙江HIIITIO新能源有限公司为高功率应用设计的坚固耐用的650V 150A IGBT模块。采用650V沟槽栅/场停止工艺,具有低电磁干扰、降低开关损耗和正VCEsat温度系数,确保性能稳定。其Al2O3基板确保低热阻,增强在严苛环境下的散热能力。

主要特性:

  • 650V沟槽栅/场停止技术: 最小化电磁干扰并最大化效率。
  • 低开关损耗: 优化高频操作中的性能。
  • 正VCEsat 温度系数: 确保在不同温度下的稳定运行。
  • Al2O3 衬底: 低热阻实现有效散热。
  • 坚固紧凑的设计: 集成夹具,便于安装,耐用。
  • 多功能应用: 适用于三级系统、PCS、UPS等多种场合。

附加信息

模块

IGBT

封装

Easy 2B

特性

RB

电路图

FL:三级

阻断电压(V)

650

模块电流(A)

150

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