
650V 150A IGBT 功率
- 集电极-发射极电压 (VCES):650V
- 直流集电极电流 (ICDC): 125A
- 重复峰值集电极电流 (ICRM): 300A
- 总功耗 (Ptot): 173W
- 门极-发射极电压 (VGES): ±20V
- 工作结温 (Tj): 高达 175°C
- 绝缘电压(Visol):3.0kV RMS
描述
该 HCG150FL065E2RB 是由浙江HIIITIO新能源有限公司为高功率应用设计的坚固耐用的650V 150A IGBT模块。采用650V沟槽栅/场停止工艺,具有低电磁干扰、降低开关损耗和正VCEsat温度系数,确保性能稳定。其Al2O3基板确保低热阻,增强在严苛环境下的散热能力。
主要特性:
- 650V沟槽栅/场停止技术: 最小化电磁干扰并最大化效率。
- 低开关损耗: 优化高频操作中的性能。
- 正VCEsat 温度系数: 确保在不同温度下的稳定运行。
- Al2O3 衬底: 低热阻实现有效散热。
- 坚固紧凑的设计: 集成夹具,便于安装,耐用。
- 多功能应用: 适用于三级系统、PCS、UPS等多种场合。
附加信息
| 模块 | IGBT |
|---|---|
| 封装 | Easy 2B |
| 特性 | RB |
| 电路图 | FL:三级 |
| 阻断电压(V) | 650 |
| 模块电流(A) | 150 |



