首页 SiC 离散场效应晶体管 1700V 碳化硅肖特基二极管 1700V 碳化硅肖特基二极管 VDS = 1700 V RDS(on) = 750 mΩ(VGS = 15 V) RDS(on) = 550 mΩ(VGS = 20 V) TJ,最大值 = 175 ℃ 类别: SiC 离散场效应晶体管 模块 选择一个选项 封装 选择一个选项TO-263-7 阻断电压(V) 选择一个选项1700 最高结温(℃) 选择一个选项175清除 描述 附加信息 描述 特点 高阻断电压 低导通电阻与高结温 高速开关,具有低电容 具有低反向恢复电流(Qrr)的快速本征二极管 符合RoHS标准 优势 更高的系统效率 降低冷却需求 提高功率密度 实现更高频率 最小化门振铃 降低系统复杂性和成本 应用 开关模式电源 直流/直流转换器 太阳能逆变器 电池充电器 电机驱动 最大额定值 除非另有说明,Tc=25°C 附加信息 模块 碳化硅MOSFET 封装 TO-263-7 阻断电压(V) 1700 最高结温(℃) 175 相关产品 1200V 16A 碳化硅肖特基二极管 1200V 42A 碳化硅肖特基二极管 1200V 20A 碳化硅肖特基二极管 1200V 40A 碳化硅肖特基二极管
描述 特点 高阻断电压 低导通电阻与高结温 高速开关,具有低电容 具有低反向恢复电流(Qrr)的快速本征二极管 符合RoHS标准 优势 更高的系统效率 降低冷却需求 提高功率密度 实现更高频率 最小化门振铃 降低系统复杂性和成本 应用 开关模式电源 直流/直流转换器 太阳能逆变器 电池充电器 电机驱动 最大额定值 除非另有说明,Tc=25°C 附加信息 模块 碳化硅MOSFET 封装 TO-263-7 阻断电压(V) 1700 最高结温(℃) 175