首页 SiC 离散场效应晶体管 1700V 9A 碳化硅肖特基二极管 1700V 9A 碳化硅肖特基二极管 VDS = 1700 V RDS（导通） = 650 mΩ ID = 9 A 类别： SiC 离散场效应晶体管 模块 选择一个选项 封装 选择一个选项TO-247-3 阻断电压（V） 选择一个选项1700 模块电流（A） 选择一个选项9 RDS(on)（mΩ） 选择一个选项650清除 描述 附加信息 描述 特点 1200V 肖特基整流器 零反向恢复电流 高频操作 温度无关的开关 极快的开关速度 优势 用单极整流器取代双极整流器 基本无开关损耗 高效率 降低散热器需求 并联器件避免热失控 应用 开关模式电源 PFC中的升压二极管 DC/DC转换器 AC/DC转换器 逆变器中的续流二极管 最大额定值 除非另有说明，Tc=25°C 附加信息 模块 碳化硅MOSFET 封装 TO-247-3 阻断电压（V） 1700 模块电流（A） 9 RDS(on)（mΩ） 650 相关产品 1700V 碳化硅肖特基二极管 1200V 40mΩ 碳化硅功率MOSFET TO-247-3L 1200V 75A 碳化硅肖特基二极管 1200V 60A 碳化硅肖特基二极管
描述 特点 1200V 肖特基整流器 零反向恢复电流 高频操作 温度无关的开关 极快的开关速度 优势 用单极整流器取代双极整流器 基本无开关损耗 高效率 降低散热器需求 并联器件避免热失控 应用 开关模式电源 PFC中的升压二极管 DC/DC转换器 AC/DC转换器 逆变器中的续流二极管 最大额定值 除非另有说明，Tc=25°C 附加信息 模块 碳化硅MOSFET 封装 TO-247-3 阻断电压（V） 1700 模块电流（A） 9 RDS(on)（mΩ） 650
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