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IGBT 和 SiC 驱动器
IGBT与SiC驱动解决方案为高性能功率模块提供精确、可靠的门控控制。非常适用于可再生能源（光伏、风能）、储能系统、电机驱动和轨道牵引等应用，这些驱动器确保在严苛的工业和电力转换环境中实现最佳性能、安全性和耐用性。
什么是IGBT门极驱动器？
IGBT门极驱动器是控制电子设备（DSP / MCU / FPGA）与功率半导体之间的关键接口电路。其功能包括：
- 用精确的电压和电流驱动IGBT门极
- 在控制端和功率端之间提供隔离
- 保护IGBT免受短路、过电流和欠压的影响
- 管理开启/关闭动态以减少开关损耗和电磁干扰（EMI）
HIITIO门极驱动器产品架构
HIITIO将其IGBT驱动器产品组合划分为四个技术层，帮助客户在集成度、灵活性和上市时间之间选择最佳平衡。
主要特性
- 输出功率：1 W – 6 W
- 峰值门极电流：高达60 A
- 电压等级：1200 V / 1700 V / 3300 V
- 强化隔离，优化用于高dv/dt环境
典型应用场景
- 定制IGBT驱动板
- 高密度逆变器设计
- 研发与平台型电力电子
主要特性
- 峰值门极电流：20 A – 110 A
- 一体化隔离直流-直流变换器
- 优化门极驱动回路以降低电磁干扰
- 兼容主流IGBT模块
优势
- 无需外部驱动器设计
- 批次间切换行为一致
- 缩短开发与认证周期
主要特性
- 绝缘等级最高可达15 kVac / 35 kVac
- 电压等级：4500 V – 6500 V
- 设计用于长爬电距离和间隙
- 增强部分放电性能
典型应用
- 风力发电变换器
- 高压光伏逆变器
- 轨道牵引变换器
- 中压工业驱动器
集成功能
- 短路软关断
- 电源欠压保护
- 智能定时管理
- 增强部分放电性能
- 多通道NTC温度监测
- 隔离故障反馈与通信
代表性电源堆
- 100 kVA / 180 kVA 单相PCS堆
- 450 kW液冷储能系统堆
- 1.7 MW 空冷ANPC/NPC三级堆
工业级门驱动智能化
HIITIO IGBT门驱动集成多层保护和智能控制逻辑，保障功率器件在短路、过电流、门极电源不稳定和热过载等异常工况下的安全运行。
失谐保护
实时监测Vce，微秒级检测短路和过电流事件，支持IGBT和SiC器件。
软关断
在故障时执行渐进式门极关断，限制dv/dt和di/dt，降低电压应力和电磁干扰。
门极欠压锁定（UVLO）
持续监控门极供电电压，防止部分导通，确保在各种工况下可靠切换。
故障时序控制
应用可配置的空白和协调故障逻辑，避免误跳闸，保证系统级故障的确定性处理。
NTC热监测
支持多通道NTC感测，用于结点和散热器温度监测，在热应力下实现降额或关机。
协同保护
将电气和热保护集成到统一的控制策略中，实现快速、受控的恢复和系统的长期稳健性。
常见应用
HIITIO 硅碳模块广泛应用于电动出行、可再生能源、工业驱动和高效能量转换系统
电动汽车
可再生能源逆变器
储能系统（ESS）和不间断电源（UPS）
工业驱动和电机控制器
为什么选择HIITIO
工程驱动的IGBT门极驱动器，提供经过验证的可靠性、可扩展的集成能力以及面向高要求电力电子应用的长期性能。
HIITIO IGBT门极驱动器以长期可靠性和系统级性能为核心设计理念。HIITIO将驱动器设计视为整体电力转换架构的关键部分，而非孤立的组件，确保在严苛的电气和环境条件下实现稳定且可预测的开关行为。
- 工程驱动设计
- 完整的驱动器产品组合
- 工业级可靠性
- 无缝系统集成
- 长期技术支持
从门极驱动控制到系统集成，HIITIO为工业和可再生能源系统提供可靠的IGBT驱动解决方案。
开启您的下一项IGBT驱动项目！
无论您是在优化现有的电源转换器设计，还是开发新的高压逆变器平台，HIITIO都提供成熟的IGBT门极驱动解决方案，以加快上市时间并降低系统集成风险。