充电站解决方案

  • 1200V / 1700V / 2200V 碳化硅模块,具有超低动态和静态损耗,最大化在车载充电器(OBC)和充电站电源阶段的效率。

  • 设计适用于宽工作温度范围,实现更高的过载能力和在苛刻充电环境中的稳定运行。

  • 增强的环境鲁棒性确保户外和公共电动车充电基础设施的长期可靠性。

  • 优化的电源循环性能延长系统寿命,降低充电系统的维护成本。

充电站系列介绍

HIITIO的充电站模块采用先进的碳化硅Econo Dual封装,面向高功率密度、高效率的车载充电器(OBC)和电动车充电应用。该系列支持单相单向、单相双向和三相双向OBC拓扑结构,灵活适应交流/直流和直流/直流阶段的系统设计。所有模块设计为1200V–1700V–2200V电压等级,支持现代电动车电力电子中广泛使用的半桥和斩波器配置。

单相单向OBC

充电站模块应用拓扑 单相双向OBC

单相双向OBC

充电站模块应用拓扑 单相单向OBC

三相双向OBC

产品型号 芯片类型 电流(A)@25℃ 拓扑结构 额定电压(V) 封装
HCS900FH120D3C1 碳化硅 900 半桥 1200 经济型双路3A
HCS600FH120D3C1 碳化硅 600 半桥 1200 经济型双路3A
HCS450FH120D3C1 碳化硅 450 半桥 1200 经济型双路3A
HCS300FH120D3C1 碳化硅 300 半桥 1200 经济型双路3A
HCS900FC120D3A1 碳化硅 900 斩波器 1200 经济型双路3A
HCS800FH170D3C1 碳化硅 800 半桥 1700 经济型双路3A
HCS600FH170D3C1 碳化硅 600 半桥 1700 经济型双路3A
HCS450FH170D3C1 碳化硅 450 半桥 1700 经济型双路3A
HCS300FH170D3C1 碳化硅 300 半桥 1700 经济型双路3A
HCS600FH120D3M 碳化硅 600 半桥 1200 经济型双路3A
HCS600FH120D3M2 碳化硅 600 半桥 1200 经济型双路3A
HCS450FH120M2 碳化硅 450 半桥 1200 经济型双路3A
HCS600FH220D3M 碳化硅 600 半桥 2200 经济型双路3A
HCS300FH120D3M 碳化硅 300 半桥 1200 经济型双路3A
HCS600FH120D4C2 碳化硅 600 半桥 1200 Econo Dual3B
HCS400FH120D4C2 碳化硅 400 半桥 1200 Econo Dual3B
HCS300FH120D4C2 碳化硅 300 半桥 1200 Econo Dual3B
HCS400FC120D4C2 碳化硅 400 斩波器 1200 Econo Dual3B
HCS400FC170D4C2 碳化硅 400 斩波器 1700 Econo Dual3B

先进的碳化硅电力平台

从器件技术到电源转换拓扑,每个细节都为现代电动车充电和车载充电器应用进行了优化。

SiC Econo 双模块架构

集成于 Econo 双封装中的先进 SiC MOSFET 设备显著降低导通损耗和开关损耗,提升在轻载和满载充电条件下的效率。

优化的高频开关性能

良好的开关特性平衡实现更高的工作频率,减少开关损耗和 EMI 压力,支持更紧凑和高功率密度的充电器设计。

更低的系统级能量损失

半导体损耗的降低直接转化为系统层面的热量减少,简化热管理并提升充电器整体可靠性。

更高的充电效率和功率密度

在宽工作范围内的效率提升实现更高的功率密度和更快的充电性能,适用于车载充电器和电动车充电站。

请求产品选型支持

我们的工程师根据拓扑结构、电压等级和热目标帮助您选择最优的 SiC 模块。

灵活的拓扑结构和电压覆盖

多种电压等级和拓扑选项实现与多样化车载充电器和电动车充电站系统架构的无缝集成。

广泛的拓扑兼容性

支持在 OBC 和充电站设计中常用的半桥和斩波器配置,适用于交流/直流和直流/直流阶段。

宽电压平台选择

提供1200V、1700V 和2200V等级,满足低压到高压充电系统的需求。

单相和三相兼容

完全兼容单相和三相车载充电器架构,简化不同车型平台的复用。

双向能量流能力

支持双向充放电,支持 V2G、V2H 以及未来智能能源交互场景。

为什么选择HIITIO

HIITIO是一家以工程为驱动的功率模块制造商,专注于车载充电器(OBC)和电动车充电站系统的SiC电源解决方案。
凭借涵盖器件选择、Econo Dual模块封装、热工程和可靠性验证的强大内部能力,HIITIO的SiC模块旨在实现高效率、长使用寿命以及在现代电动车充电基础设施常见的严苛电气、热和环境条件下的稳定性能。

成为HIITIO快乐伙伴132401

为现代能源存储拓扑结构设计

完全兼容主流PCS电路架构,降低设计复杂性,加快系统集成,降低整体开发风险。

单相单向OBC

单相双向OBC

三相双向OBC

交流/直流有源滤波(PFC)阶段

常见问题解答

HIITIO提供1200V、1700V和2200V电压等级的SiC功率模块。这些选项涵盖主流车载充电器、高功率三相OBC系统以及直流快充前端阶段。

是的。模块支持单向充电架构以及V2G和V2H等双向拓扑结构。

这些模块经过优化,适用于半桥和斩波器拓扑结构。它们广泛应用于电动车充电系统中的交流/直流有源滤波(PFC)阶段和隔离式直流/直流转换阶段。

与传统硅器件相比,SiC MOSFET显著降低了开关损耗和导通损耗。

这些模块设计用于高结温工作,通常最高可达175°C。这提供了更高的热裕度,并支持在严苛充电条件下的可靠性能。

可以。1700V和2200V型号特别适用于三相高功率OBC系统(例如11kW / 22kW),实现更高的效率和功率密度。

可以。1700V和2200V型号特别适用于三相高功率OBC系统(例如11kW / 22kW),实现更高的效率和功率密度。

最新消息

为您的下一代充电平台提供动力

无论您是在开发单相OBC、三相车载充电器,还是直流快充系统,HIITIO都提供面向应用的电源解决方案,量身定制您的架构。

HIITIO设计并制造高性能的碳化硅(SiC)电源模块,适用于车载充电器(OBC)和电动车充电站应用。凭借涵盖器件选择、Econo Dual模块封装、热优化和可靠性验证的全面内部工程能力,我们的充电模块在现代电动车充电基础设施常见的严苛电气、热环境条件下,提供高效率、稳定运行和延长的使用寿命。

灵活的拓扑设计

高效运行

可靠的系统性能

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