用于逆变焊接应用的SiC MOSFET选择

探索SiC高频逆变焊机的电路原理图、工作原理、拓扑结构,以及10–30kW系统的专家级SiC MOSFET和二极管选择。

SiC高频逆变焊机的总体电路原理图

逆变焊机的工作原理和拓扑结构

逆变焊机的工作过程如下:交流电(AC)–直流电(DC)–高频交流电–电压变换–直流电。首先,将三相或单相交流电进行整流和滤波,获得相对平滑的直流电压。
然后,逆变电路将此直流电压转换为15至100kHz的交流电。经过中频主变压器降压后,再次整流和滤波,获得稳定的直流输出。

逆变焊机中SiC和集成电路的选择建议

焊机功率:10 – 30千瓦
气体保护焊,手工焊接

电路位置焊机输出电流SiC MOSFET离散元件SiC MOSFET模块隔离驱动芯片功率控制芯片Sic SBD(肖特基二极管)
主电路的主侧逆变器(250-300)AHCM39K120Z*8///
(350-500)AHCM64K120Z*8HCS240FH120G3
HCS80FH120A1A3
HCS80FH120A1A3
///
超过500A或切割机HCM80K120Z*8///
门驱动板///HCD5350MCPR*8
HCD5350MCWR*8
HCD25350MMCWR*4
HCP1521DHCP1521S/
主电路次级整流切割机///HCD40D065HC*8
辅助电源/ HCM600S170R//HCP284XR/

第二代碳化硅MOSFET离散器件简介

电压罗斯(on)T0-247-3T0-247-4TO-247PLUS-4TO-263-7SOT-227
650V40毫欧HCM040K065ZHCM040J065R
750V8毫欧HCM008K075HK
4毫欧HCM004KP075Y
1200V160毫欧HCM160D120HHCM160K120ZHCM160J120R
80毫欧HCM080D120HHCM080K120ZHCM080J120R
65毫欧HCM065D120HHCM065K120ZHCM065J120R
40毫欧HCM040D120HHCM040K120ZHCM040J120R
30毫欧HCM030K120ZHCM030J120RHCM030P120N
13毫欧HCM013D120HHCM013K120Z
11毫欧HCM011K120HKHCM012P120N
8毫欧HCM008KP120Y
6毫欧HCM004KP120Y
1700V600毫拉HCM060D170HHCM060K170ZHCM600S170R
2000V24毫欧HCM024D200H
3300V1000毫欧HCM100J330R

碳化硅MOSFET工业模块简介

额定电压1200V封装类型产品型号罗斯(on)ID
HSOP8HCM040H120T40毫欧40A@Tc=25℃
HCM080H120T80毫欧28A@Tc=25℃
Easy 1BHCS11H120E1G311毫欧100A@Tc=65℃
Easy 2BHCS240PM120E2G35.5毫欧240A@Tc=65℃
HCS008H120E2G38毫欧160A@Tc=100℃
34mmHCS080FH120A115毫欧80A@Tc=100℃
HCS160FH120A17.5毫欧160A@Tc=100℃
62mmHCS300FH120A23.8毫欧300A@Tc=100℃
HCS450FH120A22.5毫欧450A@Tc=100℃

650V 碳化硅肖特基二极管选择

电压电流T0-220-2TO-220F-2TO-220隔离型T0-247-3T0-247-2T0-252T0-263SOT-227
650V4AHCM004A065K1HCM004F065F1HCM004C065E1
6AHCM006A065K1HCM006F065F1HCM006C065E1
8AHCM006A065K1
10AHCM010A065K1HCM010F065F1,HCM010F065FHCM010A065KSHCM010C065E1,HCM010C065EHCM010G065F1,HCM010G065F
16AHCM016D065C1HCM016G065F1
20AHCM020A065K1HCM020D065C1,HCM020D065CHCM020H065H1
30AHCM030D065C1HCM030H065H1
40AHCM040D065CHCM040H065H1
60A*2HCM120P065N1

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