首页 IGBT 模块 1200V 450A IGBT模块，A3封装，带有正向恢复二极管和NTC 1200V 450A IGBT模块，A3封装，带有正向恢复二极管和NTC 额定电压：1200V 额定电流：450A（直流） 封装：A3，内置正向整流二极管（FWD）和NTC热敏电阻 低开关损耗和高功率密度 最高结温：175℃ 存储温度：-40℃至125℃ 类别： IGBT 模块 模块 选择一个选项IGBT 封装 选择一个选项A3 电路图 选择一个选项FL：三级 阻断电压（V） 选择一个选项1200 模块电流（A） 选择一个选项450清除 描述 附加信息 描述 来自HIITIO的高性能1200V、450A功率半导体，采用A3封装。集成有正向整流二极管（FWD）和NTC热敏电阻，用于增强热监测和保护。具有低开关损耗、高功率密度和正温度系数，专为高要求的电力电子应用设计。 最大额定值 参数 符号 数值 单位 最大结温 Tvjmax 175 ℃ 工作结温 Tvjop -40~150 ℃ 存储温度 Tstg -40~125 ℃ 附加信息 模块 IGBT 封装 A3 电路图 FL：三级 阻断电压（V） 1200 模块电流（A） 450 相关产品 Econo Dual 3H 1700V 600A IGBT 功率模块 – E1 1200V 200A IGBT 功率 650V 150A IGBT 功率 Econo Dual 3H 1200V 900A IGBT 功率模块 – E1A
描述 来自HIITIO的高性能1200V、450A功率半导体，采用A3封装。集成有正向整流二极管（FWD）和NTC热敏电阻，用于增强热监测和保护。具有低开关损耗、高功率密度和正温度系数，专为高要求的电力电子应用设计。 最大额定值 参数 符号 数值 单位 最大结温 Tvjmax 175 ℃ 工作结温 Tvjop -40~150 ℃ 存储温度 Tstg -40~125 ℃ 附加信息 模块 IGBT 封装 A3 电路图 FL：三级 阻断电压（V） 1200 模块电流（A） 450
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