首页 IGBT 模块 1200V 450A IGBT 模块，A3封装，带正向整流二极管（FWD）和NTC热敏电阻1200V 450A IGBT 模块，A3封装，带正向整流二极管（FWD）和NTC热敏电阻额定电压：1200V额定电流：450A（直流），900A（峰值）封装：A3，内置正向整流二极管（FWD）和NTC热敏电阻低开关损耗和高功率密度最高结温：175℃存储温度：-40℃至125℃绝缘电压：4.0千伏紧凑重量：290克 类别： IGBT 模块模块 选择一个选项IGBT封装 选择一个选项A3电路图 选择一个选项FL：三级阻断电压（V） 选择一个选项1200模块电流（A） 选择一个选项450清除 描述 附加信息 描述该 HCG450FL120A3F5 IGBT 模块 来自HIITIO的高性能1200V、450A功率半导体，采用A3封装。集成有正向整流二极管（FWD）和NTC热敏电阻，用于增强热监测和保护。具有低开关损耗、高功率密度和正温度系数，专为高要求的电力电子应用设计。最大额定值参数符号数值单位最大结温Tvjmax175℃工作结温Tvjop-40~150℃存储温度Tstg-40~125℃附加信息模块IGBT封装A3电路图FL：三级阻断电压（V）1200模块电流（A）450相关产品Econo Dual 3H 1200V 900A IGBT 功率模块 – E1A1200V 600A IGBT功率模块Econo Dual 3H 1700V 450A IGBT 功率模块 – E1Econo Dual 3H 1200V 450A IGBT 功率模块 – E1E
描述该 HCG450FL120A3F5 IGBT 模块 来自HIITIO的高性能1200V、450A功率半导体，采用A3封装。集成有正向整流二极管（FWD）和NTC热敏电阻，用于增强热监测和保护。具有低开关损耗、高功率密度和正温度系数，专为高要求的电力电子应用设计。最大额定值参数符号数值单位最大结温Tvjmax175℃工作结温Tvjop-40~150℃存储温度Tstg-40~125℃附加信息模块IGBT封装A3电路图FL：三级阻断电压（V）1200模块电流（A）450
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