1200V 450A IGBT 模块,E6封装,带正向整流和NTC

  • 1200V沟槽栅与场止结构
  • 高短路能力
  • 低开关损耗
  • 高可靠性
  • 正温度系数
类别:

描述

HCG450FH120D3K4 IGBT 模块 来自HIITIO的高性能1200V、450A功率半导体器件,采用E6封装。具有低开关损耗、高可靠性和正温度系数,该模块集成了自由轮整流二极管(FWD)和NTC,用于高效热监测。

最大额定值

参数 符号 数值 单位
集电极-发射极电压 VCES 1200 V
直流集电极电流,Tc=100℃ Ic 450 A
峰值集电极电流,tp=1ms ICM 900 A
栅极-发射极电压 VGES ±20 V
二极管正向电流 IF 450 A
二极管峰值正向电流,tp=1ms IFRM 900 A
IGBT最大功耗 PD 2080 W
IGBT短路耐受时间 tsc 10 μs
最大结温 Tvj,最大值 175
工作结温 Tvj,工作 -40~150
存储温度范围 Tstg -40~125

 

附加信息

模块

IGBT

封装

E6

电路图

半桥

阻断电压(V)

1200

模块电流(A)

450

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