650V 100A IGBT功率

  • 集电极-发射极电压 (VCES):650V
  • 直流集电极电流 (ICN): 100A
  • 重复峰值集电极电流 (ICRM): 200A
  • 功率耗散 (Ptot): 135W
  • 门极-发射极电压 (VGES): ±20V
  • 工作结温 (Tj): 高达 175°C
类别:

描述

该 HCG100FL065E2RB 是一款高性能的650V 100A IGBT模块,专为先进的电力电子应用设计。由浙江HIIITIO新能源有限公司研发,该模块采用650V沟槽栅/场停止工艺,具有低电磁干扰、降低开关损耗和正温度系数的VCEsat.其紧凑设计,配备低热阻的铝2O3 基板,确保在苛刻条件下高效散热和可靠性能。

主要特性:

  • 650V沟槽栅/场停止技术: 优化低电磁干扰和高效率。
  • 低开关损耗: 提升高频应用中的能量效率。
  • 正VCE饱和温度系数: 确保在不同温度范围内性能稳定。
  • Al2O3基板: 提供低热阻,优异的散热管理。
  • 紧凑坚固的设计: 集成安装夹,便于快速安全安装。
  • 广泛的应用范围: 适用于三级系统、PCS、UPS等多种场合。

附加信息

模块

IGBT

封装

Easy 2B

特性

RB

电路图

FL:三级

阻断电压(V)

650

模块电流(A)

100

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