首页 SiC/硅混合模块 E4 1200V 300A 碳化硅功率模块E4 1200V 300A 碳化硅功率模块HCH10FA120E2C1是一款三级功率模块，集成了1200V硅碳化硅MOSFET芯片和1200V IGBT芯片。它适用于太阳能逆变器、高频开关和储能系统等应用。 类别： SiC/硅混合模块模块 选择一个选项碳化硅/硅混合封装 选择一个选项HPD特性 选择一个选项C1电路图 选择一个选项ANPC阻断电压（V） 选择一个选项1200模块电流（A） 选择一个选项300RDS(on)（mΩ） 选择一个选项4.3清除 描述 附加信息 描述特点阻断电压：1200VRds(on)：4.3毫欧 @ VGS = 18V低开关损耗高电流密度PressFIT接触技术最高结点温度175°C内置热敏电阻应用太阳能逆变器系统三级应用储能系统高频开关应用附加信息模块碳化硅/硅混合封装HPD特性C1电路图ANPC阻断电压（V）1200模块电流（A）300RDS(on)（mΩ）4.3相关产品EconoPIM2 1200V 100A 碳化硅功率模块ED3 1200V 900A 碳化硅功率模块F0 1200V 50A 碳化硅功率模块
描述特点阻断电压：1200VRds(on)：4.3毫欧 @ VGS = 18V低开关损耗高电流密度PressFIT接触技术最高结点温度175°C内置热敏电阻应用太阳能逆变器系统三级应用储能系统高频开关应用附加信息模块碳化硅/硅混合封装HPD特性C1电路图ANPC阻断电压（V）1200模块电流（A）300RDS(on)（mΩ）4.3
ZH 
EN 
DE 
ES 
