首页 SiC 离散场效应晶体管 1700V 碳化硅肖特基二极管 1700V 碳化硅肖特基二极管 VDS = 1700 V RDS(on) = 750 mΩ(VGS = 15 V) RDS(on) = 550 mΩ(VGS = 20 V) TJ,最大值 = 175 ℃ 类别: SiC 离散场效应晶体管 模块 选择一个选项 封装 选择一个选项TO-263-7 阻断电压(V) 选择一个选项1700 最高结温(℃) 选择一个选项175清除 描述 附加信息 描述 特点 高阻断电压 低导通电阻与高结温 高速开关,具有低电容 具有低反向恢复电流(Qrr)的快速本征二极管 符合RoHS标准 优势 更高的系统效率 降低冷却需求 提高功率密度 实现更高频率 最小化门振铃 降低系统复杂性和成本 应用 开关模式电源 直流/直流转换器 太阳能逆变器 电池充电器 电机驱动 最大额定值 除非另有说明,Tc=25°C 附加信息 模块 碳化硅MOSFET 封装 TO-263-7 阻断电压(V) 1700 最高结温(℃) 175 相关产品 1200V 16A 碳化硅肖特基二极管 1200V 2A 碳化硅肖特基二极管 1200V 60A 碳化硅肖特基二极管 1200V 40mΩ 碳化硅功率MOSFET TO-247-3L
描述 特点 高阻断电压 低导通电阻与高结温 高速开关,具有低电容 具有低反向恢复电流(Qrr)的快速本征二极管 符合RoHS标准 优势 更高的系统效率 降低冷却需求 提高功率密度 实现更高频率 最小化门振铃 降低系统复杂性和成本 应用 开关模式电源 直流/直流转换器 太阳能逆变器 电池充电器 电机驱动 最大额定值 除非另有说明,Tc=25°C 附加信息 模块 碳化硅MOSFET 封装 TO-263-7 阻断电压(V) 1700 最高结温(℃) 175