1700V 碳化硅肖特基二极管

VDS = 1700 V
RDS(on) = 750 mΩ(VGS = 15 V)
RDS(on) = 550 mΩ(VGS = 20 V)
TJ,最大值 = 175 ℃

描述

特点

  • 高阻断电压
  • 低导通电阻与高结温
  • 高速开关,具有低电容
  • 具有低反向恢复电流(Qrr)的快速本征二极管
  • 符合RoHS标准

优势

  • 更高的系统效率
  • 降低冷却需求
  • 提高功率密度
  • 实现更高频率
  • 最小化门振铃
  • 降低系统复杂性和成本

应用

  • 开关模式电源
  • 直流/直流转换器
  • 太阳能逆变器
  • 电池充电器
  • 电机驱动

最大额定值

  • 除非另有说明,Tc=25°C

附加信息

模块

碳化硅MOSFET

封装

TO-263-7

阻断电压(V)

1700

最高结温(℃)

175

我们能帮忙什么?

获取定制IGBT解决方案

告诉我们您的项目需求,我们的工程团队将在24小时内提供定制建议。

广告表单

下载资源

访问数据手册和深入的IGBT半导体见解,支持您的下一个项目。

SEO弹窗表单

由...提供 HIITIO – 保留所有权利。  隐私政策

保持联系

在您离开之前获取关键更新和IGBT见解。

挽留表单

与我们的产品专家交流

联系表格