首页 SiC 离散场效应晶体管 1700V 碳化硅肖特基二极管1700V 碳化硅肖特基二极管VDS = 1700 V RDS（on） = 750 mΩ（VGS = 15 V） RDS（on） = 550 mΩ（VGS = 20 V） TJ，最大值 = 175 ℃ 类别： SiC 离散场效应晶体管模块 选择一个选项封装 选择一个选项TO-263-7阻断电压（V） 选择一个选项1700最高结温（℃） 选择一个选项175清除 描述 附加信息 描述特点高阻断电压低导通电阻与高结温高速开关，具有低电容具有低反向恢复电流（Qrr）的快速本征二极管符合RoHS标准优势更高的系统效率降低冷却需求提高功率密度实现更高频率最小化门振铃降低系统复杂性和成本应用开关模式电源直流/直流转换器太阳能逆变器电池充电器电机驱动最大额定值除非另有说明，Tc=25°C附加信息模块碳化硅MOSFET封装TO-263-7阻断电压（V）1700最高结温（℃）175相关产品L200V 13mΩ 碳化硅功率MOSFET TO-247-4L1200V 20A 碳化硅肖特基二极管1700V 9A 碳化硅肖特基二极管1200V 32mΩ 碳化硅功率MOSFET TO-247-4L
描述特点高阻断电压低导通电阻与高结温高速开关，具有低电容具有低反向恢复电流（Qrr）的快速本征二极管符合RoHS标准优势更高的系统效率降低冷却需求提高功率密度实现更高频率最小化门振铃降低系统复杂性和成本应用开关模式电源直流/直流转换器太阳能逆变器电池充电器电机驱动最大额定值除非另有说明，Tc=25°C附加信息模块碳化硅MOSFET封装TO-263-7阻断电压（V）1700最高结温（℃）175
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