首页 SiC 离散场效应晶体管 1700V 9A 碳化硅肖特基二极管1700V 9A 碳化硅肖特基二极管VDS = 1700 V RDS（导通） = 650 mΩ ID = 9 A 类别： SiC 离散场效应晶体管模块 选择一个选项封装 选择一个选项TO-247-3阻断电压（V） 选择一个选项1700模块电流（A） 选择一个选项9RDS(on)（mΩ） 选择一个选项650清除 描述 附加信息 描述特点1200V 肖特基整流器零反向恢复电流高频操作温度无关的开关极快的开关速度优势用单极整流器取代双极整流器基本无开关损耗高效率降低散热器需求并联器件避免热失控应用开关模式电源PFC中的升压二极管DC/DC转换器AC/DC转换器逆变器中的续流二极管最大额定值除非另有说明，Tc=25°C附加信息模块碳化硅MOSFET封装TO-247-3阻断电压（V）1700模块电流（A）9RDS(on)（mΩ）650相关产品1200V 32mΩ 碳化硅功率MOSFET TO-247-4L1200V 20A 碳化硅肖特基二极管1200V 40mΩ 碳化硅功率MOSFET TO-247-3L1200V 42A 碳化硅肖特基二极管
描述特点1200V 肖特基整流器零反向恢复电流高频操作温度无关的开关极快的开关速度优势用单极整流器取代双极整流器基本无开关损耗高效率降低散热器需求并联器件避免热失控应用开关模式电源PFC中的升压二极管DC/DC转换器AC/DC转换器逆变器中的续流二极管最大额定值除非另有说明，Tc=25°C附加信息模块碳化硅MOSFET封装TO-247-3阻断电压（V）1700模块电流（A）9RDS(on)（mΩ）650
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