首页 SiC 离散场效应晶体管 1200V 40A 碳化硅肖特基二极管 1200V 40A 碳化硅肖特基二极管 VRRM = 1200 V IF ( Tc=155 ℃) = 40 A QC = 274 nC 类别: SiC 离散场效应晶体管 模块 选择一个选项 封装 选择一个选项TO-247-2 阻断电压(V) 选择一个选项1200 模块电流(A) 选择一个选项40 最高结温(℃) 选择一个选项155清除 描述 附加信息 描述 特点 1200V 肖特基整流器 零反向恢复电流 高频操作 温度无关的开关 极快的开关速度 优势 用单极整流器取代双极整流器 基本无开关损耗 高效率 降低散热器需求 并联器件避免热失控 应用 开关模式电源 PFC中的升压二极管 DC/DC转换器 AC/DC转换器 逆变器中的续流二极管 最大额定值 除非另有说明,Tc=25°C 附加信息 模块 碳化硅SBD 封装 TO-247-2 阻断电压(V) 1200 模块电流(A) 40 最高结温(℃) 155 相关产品 1200V 2A 碳化硅肖特基二极管 1200V 75A 碳化硅肖特基二极管 1200V 32mΩ 碳化硅功率MOSFET TO-247-4L 1200V 75mΩ 碳化硅功率MOSFET TO-247-4L
描述 特点 1200V 肖特基整流器 零反向恢复电流 高频操作 温度无关的开关 极快的开关速度 优势 用单极整流器取代双极整流器 基本无开关损耗 高效率 降低散热器需求 并联器件避免热失控 应用 开关模式电源 PFC中的升压二极管 DC/DC转换器 AC/DC转换器 逆变器中的续流二极管 最大额定值 除非另有说明,Tc=25°C 附加信息 模块 碳化硅SBD 封装 TO-247-2 阻断电压(V) 1200 模块电流(A) 40 最高结温(℃) 155