首页 SiC 离散场效应晶体管 650V 6A 碳化硅肖特基二极管650V 6A 碳化硅肖特基二极管VRRM = 650 V IF（TC=159 ℃）= 6 A QC = 22 nC 类别： SiC 离散场效应晶体管模块 选择一个选项封装 选择一个选项DFN8*8阻断电压（V） 选择一个选项650模块电流（A） 选择一个选项6最高结温（℃） 选择一个选项159清除 描述 附加信息 描述特点650V肖特基整流器零反向恢复电流高频操作温度无关的开关极快的开关速度优势用单极整流器取代双极整流器基本无开关损耗高效率降低散热器需求并联器件避免热失控应用开关模式电源PFC中的升压二极管DC/DC转换器AC/DC转换器逆变器中的续流二极管最大额定值除非另有说明，Tc=25°C附加信息模块碳化硅SBD封装DFN8*8阻断电压（V）650模块电流（A）6最高结温（℃）159相关产品1200V 75A 碳化硅肖特基二极管1200V 75mΩ 碳化硅功率MOSFET TO-247-4L1700V 碳化硅肖特基二极管1200V 20A 碳化硅肖特基二极管
描述特点650V肖特基整流器零反向恢复电流高频操作温度无关的开关极快的开关速度优势用单极整流器取代双极整流器基本无开关损耗高效率降低散热器需求并联器件避免热失控应用开关模式电源PFC中的升压二极管DC/DC转换器AC/DC转换器逆变器中的续流二极管最大额定值除非另有说明，Tc=25°C附加信息模块碳化硅SBD封装DFN8*8阻断电压（V）650模块电流（A）6最高结温（℃）159
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