首页 SiC 模块 ED3 1200V 900A 碳化硅功率模块 ED3 1200V 900A 碳化硅功率模块 HCS900FH120D3C1 是一款半桥式碳化硅MOSFET功率模块。它集成了高性能的碳化硅MOSFET芯片，设计用于电机驱动和可再生能源等应用。 类别： SiC 模块 模块 选择一个选项碳化硅 封装 选择一个选项经济型双路3A 特性 选择一个选项C1 电路图 选择一个选项半桥 阻断电压（V） 选择一个选项1200 模块电流（A） 选择一个选项900 RDS(on)（mΩ） 选择一个选项2 最高结温（℃） 选择一个选项175清除 描述 附加信息 描述 特点 击穿电压 1200V RDS(on) = 2.0毫欧 具有低热阻的硅氮化物陶瓷绝缘基板 最高结点温度175°C 内部装有热敏电阻 低开关损耗 应用 电动车应用 电机驱动 车辆快速充电器 智能电网/并网分布式发电 附加信息 模块 碳化硅 封装 经济型双路3A 特性 C1 电路图 半桥 阻断电压（V） 1200 模块电流（A） 900 RDS(on)（mΩ） 2 最高结温（℃） 175 相关产品 E0 1200V 150A 硅碳化物功率模块 ED3H 1200V 600A 碳化硅功率模块 ED3 1700V 600A 碳化硅功率模块 62mm 1700V 400A 碳化硅功率模块
描述 特点 击穿电压 1200V RDS(on) = 2.0毫欧 具有低热阻的硅氮化物陶瓷绝缘基板 最高结点温度175°C 内部装有热敏电阻 低开关损耗 应用 电动车应用 电机驱动 车辆快速充电器 智能电网/并网分布式发电 附加信息 模块 碳化硅 封装 经济型双路3A 特性 C1 电路图 半桥 阻断电压（V） 1200 模块电流（A） 900 RDS(on)（mΩ） 2 最高结温（℃） 175
ZH 
EN 
DE 
ES 
