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Módulo de potencia SIC F0 1200V 50A
El HCH50FB120F0H1 es un módulo de potencia de doble refuerzo. Integra chips IGBT de alto rendimiento y diodos SiC, diseñado para aplicaciones como inversores solares, sistemas UPS, convertidores DC/DC de pilas de combustible y sistemas de almacenamiento de energía.
Descripción
Características
- Voltaje de bloqueo: 1200V
- Baja tensión de saturación VCE(sat)
- Diodo SiC
- Diodos de bypass y antiparalelo de 1600V
- Diseño de baja inductancia
- Baja resistencia térmica
- Termistor incorporado
Aplicaciones
- Inversores solares
- Convertidores DC/DC de celdas de combustible
- Sistemas de alimentación ininterrumpida (SAI)
- Sistemas de almacenamiento de energía
Información adicional
| Módulo | Híbrido SiC/Si |
|---|---|
| Paquete | Flujo0 |
| Característica | H1 |
| Diagrama de Circuito | Doble Refuerzo |
| Tensión de Bloqueo (V) | 1200 |
| Corriente del Módulo (A) | 50 |
| Tjmax (℃) | 175 |
