ES 
EN 
DE 
ZH 
Módulo de Potencia SIC ED3 1700V 800A
El HCS800FH170D3C1 es un Módulo de Potencia de Mitad de Puente SiC MOSFET. Integra chips SiC MOSFET de alto rendimiento diseñados para aplicaciones como accionamientos de motores y energías renovables.
Descripción
Características
- Voltaje de bloqueo 1200V
- RDS(on) = 2.8mΩ@ Tj = 25℃
- Baja resistencia térmica con AMB de Si3N4
- Temperatura máxima de unión de 175°C
- Termistor en el interior
- Bajas pérdidas de conmutación
Aplicaciones
- Aplicaciones xEV
- Accionamientos de Motores
- Cargadores rápidos para vehículos
- Red Inteligente / Generación Distribuida Conectada a la Red
Información adicional
| Módulo | SiC |
|---|---|
| Paquete | Econo Dual 3A |
| Característica | C1 |
| Diagrama de Circuito | Medio Puente |
| Tensión de Bloqueo (V) | 1700 |
| Corriente del Módulo (A) | 800 |
| RDS(on) (mΩ) | 2.8 |
| Tjmax (℃) | 175 |
