ES 
EN 
DE 
ZH 
Módulo de Potencia SiC E0 1200V 150A
El HCS06FH120E1C1 es un módulo de potencia MOSFET SiC de medio puente. Integra chips MOSFET SiC de alto
rendimiento diseñados para aplicaciones como sistemas de inversores solares, convertidores de celda de combustible CC/CC, fuentes de alimentación ininterrumpibles y sistemas de almacenamiento de energía.
Descripción
Características
- Voltaje de bloqueo: 1200V
- Rds(on): 6.2mΩ@25℃;10.3mΩ@175℃
- Bajas pérdidas de conmutación
- Temperatura máxima de unión de 175℃
- Si3N4AMB
- Termistor en el interior
Aplicaciones
- Sistemas de inversores solares
- Convertidor de celda de combustible-DC/DC
- Suministro de energía ininterrumpido
- Sistemas de almacenamiento de energía
- Relé de estado sólido
Información adicional
| Módulo | SiC |
|---|---|
| Paquete | Easy 1B |
| Característica | C1 |
| Diagrama de Circuito | Medio Puente |
| Tensión de Bloqueo (V) | 1200 |
| Corriente del Módulo (A) | 150 |
| RDS(on) (mΩ) | 6.2 |
| Tjmax (℃) | 175 |
