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Módulo de Potencia SiC E0 1200V 150A
El HCS09FC120E1Q1 es un módulo de potencia MOSFET SiC de medio puente. Integra chips MOSFET SiC de alto
rendimiento diseñados para aplicaciones como sistemas de inversores solares, convertidores de celda de combustible CC/CC, fuentes de alimentación ininterrumpibles y sistemas de almacenamiento de energía.
Descripción
Características
- Voltaje de bloqueo: 1200V
- 9.2mΩ Rds(on)@Tj = 25°C
- 150A@Tf = 75°C
- Temperatura máxima de unión de 175°C
- Baja resistencia térmica con Si3N4AMB
- Bajas pérdidas de conmutación
- Termistor en el interior
Aplicaciones
- Aplicaciones xEV
- Convertidor
- Cargadores rápidos para vehículos
- Energías renovables
Información adicional
| Módulo | SiC |
|---|---|
| Paquete | Easy 1B |
| Característica | Q1 |
| Diagrama de Circuito | FT: Trifásico |
| Tensión de Bloqueo (V) | 1200 |
| Corriente del Módulo (A) | 150 |
| RDS(on) (mΩ) | 9 |
| Tjmax (℃) | 175 |
