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ZH 
Módulo IGBT de 750V 770A, trifásico, compatible con RoHS
- Trinchera de parada de campo de 750V IGBT
- VcE(sat) con coeficiente de temperatura positivo
- Conmutación rápida y corriente de cola corta
- Diodos de rueda libre con recuperación inversa rápida y suave
- Temperatura máxima de unión 185°C
- Sensado de temperatura incluido
Descripción
El HCG770FT075H5T7L, un módulo IGBT de vanguardia de 750V. Diseñado para entornos exigentes, este módulo compatible con RoHS ofrece eficiencia, fiabilidad y rendimiento térmico excepcionales. Ideal para vehículos eléctricos híbridos (HEV), accionamientos de motores y sistemas inversores, combina tecnología avanzada de IGBT de trinchera de parada de campo con diodos de rueda libre integrados y sensado de temperatura para un funcionamiento sin problemas hasta una temperatura de unión de 185°C.
Inversor IGBT
CLASIFICACIONES MÁXIMAS ABSOLUTAS (T,=25°C a menos que se indique lo contrario
| Símbolo | Parámetro/Condiciones de prueba | Valores | Unidad | |
|---|---|---|---|---|
| VCE(S) | Voltaje colector-emisor | Tvj=25℃ | 750 | V |
| VGES | Voltaje puerta-emisor | ±20 | ||
| IC | Corriente de colector en corriente continua | TF=60℃, Tvjmax=185℃ | 270 | A |
| ICM | Corriente máxima de pico repetitiva del colector | tp=1ms | 900 | |
| Tvjmax | Temperatura máxima de unión | 185 | ℃ | |
| P tot | Disipación de potencia por IGBT | TF=60℃, Tvjmax=185℃ | 735 | W |
Inversor de diodos
VALORES MÁXIMOS ABSOLUTOS (T,=25°C a menos que se indique lo contrario)
| Símbolo | Parámetro/Condiciones de prueba | Valores | Unidad | |
|---|---|---|---|---|
| VRRM | Voltaje Repetitivo de Inversión | Tvj=25℃ | 750 | V |
| IF(AV) | Corriente Media de Conducción | TF=60℃, Tvjmax=185℃ | 160 | A |
| IFRM | Corriente máxima de avance repetitiva | tp=1ms | 900 | |
| Tvjmax | Temperatura máxima de unión | 185 | ℃ | |
Información adicional
| Módulo | IGBT |
|---|---|
| Diagrama de Circuito | FT: Trifásico |
| Tensión de Bloqueo (V) | 750 |
| Corriente del Módulo (A) | 770 |
