ES 
EN 
DE 
ZH 
Potencia IGBT 1200V 75A
VCES=1200V, IC(nom)=75A
Descripción
Características
- Diseño de baja inductancia
- Vcesat baja con alta temperatura de unión
- Recuperación inversa rápida y suave, diodo antiparalelo FWD
- Bajas pérdidas de conmutación
Beneficios
- Mayor eficiencia del sistema
- Reducción de los requisitos de refrigeración
- Aumento de la densidad de potencia
- Permite frecuencias más altas
Aplicaciones
- Inversor para control de motores
- Amplificador de accionamiento de servo de corriente alterna y continua
- Fuente de alimentación ininterrumpida
Clasificaciones máximas absolutas
- Tc=25°C a menos que se indique lo contrario
Información adicional
| Módulo | IGBT |
|---|---|
| Paquete | Econo PACK 2H |
| Característica | D |
| Diagrama de Circuito | FT: Trifásico |
| Tensión de Bloqueo (V) | 1200 |
| Corriente del Módulo (A) | 75 |
| Tjmax (℃) | 150 |
