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ZH 
Módulo de potencia IGBT Easy 3B de 1200 V 500 A
- Voltaje colector-emisor (VCES): 1200 V (T1/T4), 650 V (T2/T3)
- Corriente de colector en corriente continua (ICDC): 324 A (T1/T4, T2/T3)
- Corriente máxima de pico repetitiva del colector (ICRM): 1000 A (T1/T4), 900 A (T2/T3)
- Disipación total de potencia (Ptot): 543 W (T1/T4), 390 W (T2/T3)
- Voltaje puerta-emisor (VGES): ±20V
- Temperatura de unión de funcionamiento (Tj): Hasta 175°C
- Resistencia térmica (RthJH): 0,175 K/W (T1/T4), 0,243 K/W (T2/T3)
- Voltaje de aislamiento (Vaisl): 3,0 kV (RMS, 50 Hz, 60 s)
Descripción
El HCG500FL120E3TM es un módulo IGBT de 1200 V 500 A de alto rendimiento de Zhejiang HIIITIO New Energy Co., Ltd., diseñado para aplicaciones de inversor NPC de 3 niveles tipo T. Con tecnología de puerta de trinchera/parada de campo, ofrece baja VCEsat, pérdidas de conmutación mínimas y un diseño compacto de baja inductancia. Con un condensador de CC integrado (opcional), Al2O3 sustrato y placa base de cobre, garantiza una excelente gestión térmica y fiabilidad para sistemas de alta potencia.
Características clave:
- Topología NPC tipo T de 1200 V: Optimizado para inversores de alta potencia.
- V bajosCEsat y pérdidas de conmutación: Mejora la eficiencia en operaciones de alta frecuencia.
- Condensador de CC integrado (opcional): Simplifica el diseño del sistema.
- Al2O3 Sustrato y placa base de cobre: Garantiza una baja resistencia térmica y una disipación de calor superior.
- Diseño compacto de baja inductancia: Reduce las EMI y mejora la estabilidad.
- Amplias aplicaciones: Ideal para sistemas UPS, solares, APF/SVG y de 3 niveles.
Información adicional
| Módulo | IGBT |
|---|---|
| Paquete | Fácil 3B |
| Característica | TM |
| Diagrama de Circuito | FL: 3 niveles, tipo I, inversor NPC |
| Tensión de Bloqueo (V) | 1200 |
| Corriente del Módulo (A) | 500 |
