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MOSFET de potencia de Carburo de Silicio de 1200V 40mΩ TO-247-3L
- Alta tensión de bloqueo de 1200V con RDS(on) de 40mΩ
- Conmutación de alta velocidad con baja capacitancia parasitaria
- Resistente a la latch-up, fácil de paralelizar, sencillo de conducir
- Operación confiable hasta una temperatura de unión de 175℃
- Libre de halógenos, compatible con RoHS
- Excelente rendimiento térmico con baja pérdida de conmutación
Descripción
El HCM75S12T4K3 es un MOSFET de potencia de Carburo de Silicio (SiC) de 1200V y 75mΩ en un paquete TO-247-4L. Diseñado con tecnología avanzada de SiC, ofrece alta tensión de bloqueo, bajo RDS(on), conmutación rápida y fiabilidad robusta. Es ideal para sistemas de conversión de potencia de alta eficiencia que requieren un diseño compacto y estabilidad térmica.
Clasificaciones máximas
| Parámetro | Símbolo | Condición | Valor | Unidad |
|---|---|---|---|---|
| Tensión entre drenaje y fuente | VDS máx | VGs=0V,Ip=100μA | 1200 | V |
| Tensión entre puerta y fuente | VGS máximo | Valores máximos absolutos | -10/+22 | V |
| VGS en funcionamiento | Valores operativos recomendados | -5/+18 | V | |
| Corriente de drenaje continua | ID | VGs=18V, Tc=25℃ | 82 | A |
| VGs=18V, Tc=100℃ | 58 | |||
| Corriente de drenaje pulsada | ID pulso | Ancho de pulso tp limitado por Tvjmax | 264 | A |
| Disipación de potencia | PD | Tc=25℃, Tvjmax=175℃ | 417 | W |
| Temperatura de unión de funcionamiento | Tvjop | -55~175 | ℃ | |
| Rango de temperatura de almacenamiento | Tstg | -55~175 | ℃ |
Información adicional
| Módulo | MOSFET de Carburo de Silicio (SiC) |
|---|---|
| Paquete | TO-247-4L |
| Tensión de Bloqueo (V) | 1200 |
| RDS(on) (mΩ) | 40 |
