Solución de grado automotriz

  • Alta densidad de corriente, condiciones de operación líderes en la industria
  • Bajas pérdidas de conducción y conmutación para corrientes de salida más altas
  • Diseño de inductancia parasitaria baja para evitar oscilaciones, diseño de resistencia térmica baja
  • Sustratos, placas traseras, carcasas, etc., pueden ser personalizados para satisfacer las diversas necesidades de energía del cliente
HCG450FH120D3K4.webp

Introducción a la serie de módulos SiC de grado automotriz

La serie de productos de encapsulado y embalaje plástico desarrollados utilizando los chips MOSFET de puerta plana SiC de alto rendimiento de Xilian, cubre todo el rango de 750V a 1200V. Presentan alta densidad de corriente, baja pérdida de conmutación y alta capacidad de cortocircuito, y pueden satisfacer los módulos de potencia de alta fiabilidad para condiciones de trabajo automotriz complejas.

Modelo de producto Tipos de chip Ic(A)@25℃ Topología Votaje nominal (V) Embalaje
HCS900FH120D3C1 Sic 900 Medio Puente 1200 Econo Dual 3A
HCS600FH120D3M SiC 600 Medio Puente 1200 Econo Dual 3A
HCS450FH120M2 Sic 450 Medio Puente 1200 Econo Dual 3A
HCS300FH120D3C1 SiC 300 Medio Puente 1200 Econo Dual 3A
HCS800FH170D3C1 SiC 800 Medio Puente 1700 Econo Dual 3A
HCS600FH170D3C1 SiC 600 Medio Puente 1700 Econo Dual 3A
HCS450FH170D3C1 Sic 450 Medio Puente 1700 Econo Dual 3A
HCS300FH170D3C1 SiC 300 Medio Puente 1700 Econo Dual 3A
HCS450FH220D3M Sic 450 Medio Puente 2200 Econo Dual 3A
HCS600FH220D3M SiC 600 Medio Puente 2200 Econo Dual 3A
HCS600FH120D4C2 SiC 600 Medio Puente 1200 Econo Dual3B
HCS400FH120D4C2 Sic 400 Medio Puente 1200 Econo Dual3B
HCS300FH120D4C2 Sic 300 Medio Puente 1200 Econo Dual3B
HCS400FC120D4C2 SiC 400 Conmutador 1200 Econo Dual3B
HCS400FC170D4C2 Sic 400 Conmutador 1700 Econo Dual3B
HCS600FH120D5B3 SiC 600 Medio Puente 1200 Econo Dual3C

MOSFET de puerta plana SiC para eficiencia

Una estructura de chip probada que equilibra la velocidad de conmutación y la pérdida de conducción, asegurando un rendimiento dinámico estable incluso bajo operación de alta frecuencia.

Paquete de inductancia parasitaria ultra baja

Las rutas de corriente optimizadas suprimen el sobrevoltaje y las oscilaciones, reduciendo la EMI y mejorando la calidad de conmutación y el margen de seguridad del sistema.

Alta densidad de corriente en tamaño compacto

Proporciona más potencia en un espacio más pequeño, permitiendo diseños de inversores compactos, ligeros y altamente integrados.

Mayor eficiencia a nivel de sistema

Las pérdidas de conmutación y conducción más bajas reducen la demanda de refrigeración, aumentando el alcance de conducción del vehículo y la utilización de energía.

¿Necesita una solución personalizada de módulo SiC?

Cuéntenos los requisitos de su sistema — entregamos el módulo optimizado

Capacidad superior de térmica y cortocircuito

Diseñado para entornos de altas temperaturas y fiabilidad basada en perfiles de misión

Estructura de baja resistencia térmica

El camino térmico multicapa permite una rápida extracción de calor, reduciendo el aumento de temperatura y manteniendo una mayor potencia de salida.

Alta capacidad de temperatura de unión

Opera a temperaturas de unión más altas mientras mantiene el rendimiento eléctrico y la fiabilidad a largo plazo.

Capacidad robusta de resistencia a cortocircuitos

Proporciona un tiempo de respuesta de protección más largo durante condiciones de fallo, aumentando el margen de seguridad del sistema.

Mayor duración en ciclos de potencia

El mejoramiento en la compatibilidad de materiales aumenta la resistencia al estrés termo-mecánico, cumpliendo con las expectativas de duración en automoción.

Su socio de confianza en módulos de SiC

HIITIO es un fabricante de semiconductores de potencia impulsado por ingeniería, especializado en el diseño de módulos IGBT para aplicaciones industriales exigentes y energías renovables.
Con capacidades internas sólidas que abarcan selección de chips, empaquetado de módulos, optimización térmica y validación de fiabilidad, HIITIO entrega productos diseñados para operación a largo plazo en condiciones eléctricas y ambientales adversas.

hiitio-building.webp

Escenarios de aplicación

Diseñado para arquitecturas de tren motriz eléctrico de próxima generación

Inversor de tracción para vehículos eléctricos

Inversor de tracción para vehículos eléctricos

E-axle para vehículos comerciales

E-axle para vehículos comerciales

Plataformas de alto rendimiento de voltaje

Plataformas de alto rendimiento de voltaje

Sistemas de conversión de energía bidireccionales

Sistemas de conversión de energía bidireccionales

Preguntas frecuentes sobre los módulos IGBT de energía eólica HIITIO

El módulo soporta plataformas de voltaje de 750V, 800V, 1000V y superiores para trenes de transmisión de vehículos tanto de pasajeros como comerciales, con personalización disponible para requisitos de voltaje especiales.

Los módulos de SiC ofrecen menores pérdidas de conmutación y conducción, permitiendo mayor eficiencia, reducción del tamaño de refrigeración, mayor densidad de potencia y mayor autonomía de conducción.

El módulo está diseñado y validado bajo condiciones de perfil de misión, incluyendo ciclos de potencia, choque térmico, cortocircuito y pruebas HTRB para la operación a largo plazo del tren de transmisión.

HIITIO ofrece soporte completo en aplicaciones, incluyendo simulación de pérdidas, orientación en diseño térmico, compatibilidad con drivers de puerta y optimización de parasitarios en barras de bus.

Con líneas de empaquetado internas y una cadena de suministro madura, garantizamos una rápida escalada desde el prototipado hasta la producción en masa y una estabilidad en las entregas a largo plazo.

Puedes contactar directamente con HIITIO a través del formulario de consulta para solicitar hojas de datos, muestras o soporte técnico para tu proyecto de energía eólica.

Últimas noticias

Inicie su proyecto de tren de transmisión de SiC de alta eficiencia hoy mismo

Obtenga módulos de SiC optimizados, diseñados para eficiencia, fiabilidad y soporte para integración rápida en sistemas

HIITIO es un proveedor global de soluciones de semiconductores de potencia para movilidad de energía nueva y sistemas de energía limpia, enfocándose en el desarrollo y fabricación de módulos de potencia de alto rendimiento. Con capacidades internas sólidas en selección de chips, desarrollo de procesos de empaquetado, optimización térmica y validación de fiabilidad, entregamos módulos de SiC diseñados para operación a largo plazo en condiciones de alta frecuencia, altas temperaturas y alta densidad de potencia.

Selección de módulos a medida

Estimación de pérdidas y eficiencia

Orientación en diseño térmico

20 años de experiencia

Obtén una cotización gratuita

  • Nos pondremos en contacto contigo en 24 horas
  • ¡No te preocupes, a nosotros también nos disgusta el spam!
Formulario de contacto

Impulsado por HIITIO | Política de privacidad 

Hable con nuestros expertos en productos

Formulario de contacto

Descargar recursos

Accede a hojas de datos y conocimientos profundos sobre semiconductores IGBT para apoyar tu próximo proyecto.

Formulario emergente de SEO

Impulsado por HIITIO – Todos los derechos reservados.  Política privada

¿Cómo podemos ayudarte?

Obtén una solución personalizada de IGBT

Cuéntanos los requisitos de tu proyecto y nuestro equipo de ingeniería te ofrecerá recomendaciones personalizadas en 24 horas.

Formulario de publicidad

Manténgase en contacto

Reciba actualizaciones clave y conocimientos sobre IGBT antes de irse.

Formulario de retención