Selección de MOSFET SiC para aplicaciones de soldadura con inversor

Explora el esquema de la máquina de soldadura por inversor de alta frecuencia de SiC, principio de funcionamiento, estructura de topología y selección experta de MOSFET y diodos SiC para sistemas de 10 a 30 kW.

Diagrama esquemático general de la máquina de soldadura por inversor de alta frecuencia de SiC

El principio de funcionamiento y la estructura de topología de la máquina de soldadura por inversor

El proceso de trabajo de la máquina de soldadura por inversor es el siguiente: corriente alterna (AC) – corriente continua (DC) – corriente alterna de alta frecuencia – transformación de voltaje – DC. Primero rectifica y filtra la energía de corriente alterna trifásica o monofásica para obtener un voltaje DC relativamente suave.
Luego, el circuito del inversor convierte este voltaje DC en corriente alterna de 15 a 100 kHz. Después de ser reducido por el transformador principal de frecuencia media, se rectifica y filtra nuevamente para obtener una salida de DC estable.

Recomendación para la selección de circuitos integrados y SiC en máquinas de soldadura por inversor

Potencia de la máquina de soldadura: 10 – 30 kW
Soldadura con gas protegido, soldadura manual

Ubicación del circuitoCorriente de salida de la máquina de soldaduraComponentes discretos MOSFET SiCMódulo MOSFET SiCChip de conductor de aislamientoChip de control de potenciaSic SBD
Inversor del lado primario del circuito principal(250-300)AHCM39K120Z*8///
(350-500)AHCM64K120Z*8HCS240FH120G3
HCS80FH120A1A3
HCS80FH120A1A3
///
Por encima de 500A o máquina de corteHCM80K120Z*8///
Tarjeta de accionamiento de puerta///HCD5350MCPR*8
HCD5350MCWR*8
HCD25350MMCWR*4
HCP1521DHCP1521S/
Rectificación secundaria del circuito principalMáquina de corte///HCD40D065HC*8
Fuente de alimentación auxiliar/ HCM600S170R//HCP284XR/

Introducción a los Dispositivos Discretos MOSFET de Segunda Generación de SiC

VoltajeRos(on)T0-247-3T0-247-4TO-247PLUS-4TO-263-7SOT-227
650V40mΩHCM040K065ZHCM040J065R
750V8mΩHCM008K075HK
4mΩHCM004KP075Y
1200V160mΩHCM160D120HHCM160K120ZHCM160J120R
80mΩHCM080D120HHCM080K120ZHCM080J120R
65mΩHCM065D120HHCM065K120ZHCM065J120R
40mΩHCM040D120HHCM040K120ZHCM040J120R
30mΩHCM030K120ZHCM030J120RHCM030P120N
13mΩHCM013D120HHCM013K120Z
11mΩHCM011K120HKHCM012P120N
8mΩHCM008KP120Y
6mΩHCM004KP120Y
1700V600mRHCM060D170HHCM060K170ZHCM600S170R
2000V24mΩHCM024D200H
3300V1000mΩHCM100J330R

Introducción a los Módulos Industriales de MOSFET de SiC

Voltaje1200VTipo de embalajeModelo de productoRos(on)ID
HSOP8HCM040H120T40mR40A@Tc=25℃
HCM080H120T80mR28A@Tc=25℃
Easy 1BHCS11H120E1G311mR100A@Tc=65℃
Fácil 2BHCS240PM120E2G35.5mR240A@Tc=65℃
HCS008H120E2G38mR160A@Tc=100℃
34mmHCS080FH120A115mR80A@Tc=100℃
HCS160FH120A17.5mR160A@Tc=100℃
62mmHCS300FH120A23.8mR300A@Tc=100℃
HCS450FH120A22.5mR450A@Tc=100℃

Selección de diodos Schottky de Carburo de Silicio de 650V

VoltajeCorrienteT0-220-2TO-220F-2TO-220aisladoT0-247-3T0-247-2T0-252T0-263SOT-227
650V4AHCM004A065K1HCM004F065F1HCM004C065E1
6AHCM006A065K1HCM006F065F1HCM006C065E1
8AHCM006A065K1
10AHCM010A065K1HCM010F065F1,HCM010F065FHCM010A065KSHCM010C065E1,HCM010C065EHCM010G065F1,HCM010G065F
16AHCM016D065C1HCM016G065F1
20AHCM020A065K1HCM020D065C1,HCM020D065CHCM020H065H1
30AHCM030D065C1HCM030H065H1
40AHCM040D065CHCM040H065H1
60A*2HCM120P065N1

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