Selección de MOSFET SiC para aplicaciones de soldadura con inversor

Explora el esquema de la máquina de soldadura por inversor de alta frecuencia de SiC, principio de funcionamiento, estructura de topología y selección experta de MOSFET y diodos SiC para sistemas de 10 a 30 kW.

Diagrama esquemático general de la máquina de soldadura por inversor de alta frecuencia de SiC

El principio de funcionamiento y la estructura de topología de la máquina de soldadura por inversor

El proceso de trabajo de la máquina de soldadura por inversor es el siguiente: corriente alterna (AC) – corriente continua (DC) – corriente alterna de alta frecuencia – transformación de voltaje – DC. Primero rectifica y filtra la energía de corriente alterna trifásica o monofásica para obtener un voltaje DC relativamente suave.
Luego, el circuito del inversor convierte este voltaje DC en corriente alterna de 15 a 100 kHz. Después de ser reducido por el transformador principal de frecuencia media, se rectifica y filtra nuevamente para obtener una salida de DC estable.

Recomendación para la selección de circuitos integrados y SiC en máquinas de soldadura por inversor

Potencia de la máquina de soldadura: 10 – 30 kW
Soldadura con gas protegido, soldadura manual

Ubicación del circuito Corriente de salida de la máquina de soldadura Componentes discretos MOSFET SiC Módulo MOSFET SiC Chip de conductor de aislamiento Chip de control de potencia Sic SBD
Inversor del lado primario del circuito principal (250-300)A HCM39K120Z*8 / / /
(350-500)A HCM64K120Z*8 HCS240FH120G3
HCS80FH120A1A3
HCS80FH120A1A3
/ / /
Por encima de 500A o máquina de corte HCM80K120Z*8 / / /
Tarjeta de accionamiento de puerta / / / HCD5350MCPR*8
HCD5350MCWR*8
HCD25350MMCWR*4
HCP1521DHCP1521S /
Rectificación secundaria del circuito principal Máquina de corte / / / HCD40D065HC*8
Fuente de alimentación auxiliar / HCM600S170R / / HCP284XR /

Introducción a los Dispositivos Discretos MOSFET de Segunda Generación de SiC

Voltaje Ros(on) T0-247-3 T0-247-4 TO-247PLUS-4 TO-263-7 SOT-227
650V 40mΩ HCM040K065Z HCM040J065R
750V 8mΩ HCM008K075HK
4mΩ HCM004KP075Y
1200V 160mΩ HCM160D120H HCM160K120Z HCM160J120R
80mΩ HCM080D120H HCM080K120Z HCM080J120R
65mΩ HCM065D120H HCM065K120Z HCM065J120R
40mΩ HCM040D120H HCM040K120Z HCM040J120R
30mΩ HCM030K120Z HCM030J120R HCM030P120N
13mΩ HCM013D120H HCM013K120Z
11mΩ HCM011K120HK HCM012P120N
8mΩ HCM008KP120Y
6mΩ HCM004KP120Y
1700V 600mR HCM060D170H HCM060K170Z HCM600S170R
2000V 24mΩ HCM024D200H
3300V 1000mΩ HCM100J330R

Introducción a los Módulos Industriales de MOSFET de SiC

Voltaje1200V Tipo de embalaje Modelo de producto Ros(on) ID
HSOP8 HCM040H120T 40mR 40A@Tc=25℃
HCM080H120T 80mR 28A@Tc=25℃
Easy 1B HCS11H120E1G3 11mR 100A@Tc=65℃
Fácil 2B HCS240PM120E2G3 5.5mR 240A@Tc=65℃
HCS008H120E2G3 8mR 160A@Tc=100℃
34mm HCS080FH120A1 15mR 80A@Tc=100℃
HCS160FH120A1 7.5mR 160A@Tc=100℃
62mm HCS300FH120A2 3.8mR 300A@Tc=100℃
HCS450FH120A2 2.5mR 450A@Tc=100℃

Selección de diodos Schottky de Carburo de Silicio de 650V

Voltaje Corriente T0-220-2 TO-220F-2 TO-220aislado T0-247-3 T0-247-2 T0-252 T0-263 SOT-227
650V 4A HCM004A065K1 HCM004F065F1 HCM004C065E1
6A HCM006A065K1 HCM006F065F1 HCM006C065E1
8A HCM006A065K1
10A HCM010A065K1 HCM010F065F1,HCM010F065F HCM010A065KS HCM010C065E1,HCM010C065E HCM010G065F1,HCM010G065F
16A HCM016D065C1 HCM016G065F1
20A HCM020A065K1 HCM020D065C1,HCM020D065C HCM020H065H1
30A HCM030D065C1 HCM030H065H1
40A HCM040D065C HCM040H065H1
60A*2 HCM120P065N1

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