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MOSFET de potencia de Carburo de Silicio de 1200V 32mΩ TO-247-4L
- Alta tensión de bloqueo (1200V) con RDS(on) ultra bajo de 32mΩ
- Conmutación de alta velocidad con baja capacitancia parasitaria
- Operación en paralelo sencilla y conducción de puerta simple
- Rendimiento robusto hasta una temperatura de unión de 175℃
- Libre de halógenos, compatible con RoHS
- Adecuado para topologías resonantes
Descripción
El HCM32S12T4K2 es un MOSFET de potencia de Carburo de Silicio (SiC) de 1200V y 32mΩ en un encapsulado TO-247-4L, diseñado para aplicaciones de alta eficiencia y alta fiabilidad. Construido con tecnología de tercera generación de MOSFET de SiC, ofrece baja resistencia en estado estacionario, conmutación de alta velocidad y excelente rendimiento térmico.
Clasificaciones máximas
| Parámetro | Símbolo | Condición | Valor | Unidad |
|---|---|---|---|---|
| Tensión entre drenaje y fuente | VDS máx | VGs=0V,Ip=100μA | 1200 | V |
| Tensión entre puerta y fuente | VGS máximo | Valores máximos absolutos | -8/+19 | V |
| VGS en funcionamiento | Valores operativos recomendados | -4/+15 | V | |
| Corriente de drenaje continua | ID | VGs=15V, Tc=25℃ | 92 | A |
| VGs=15V, Tc=100℃ | 65 | |||
| Corriente de drenaje pulsada | ID pulso | Ancho de pulso tp limitado por Tvjmax | 276 | A |
| Disipación de potencia | PD | Tc=25℃, Tvjmax=175℃ | 417 | W |
| Temperatura de unión de funcionamiento | Tvjop | -55~175 | ℃ | |
| Rango de temperatura de almacenamiento | Tstg | -55~175 | ℃ |
Información adicional
| Módulo | MOSFET de Carburo de Silicio (SiC) |
|---|---|
| Paquete | TO-247-4L |
| Tensión de Bloqueo (V) | 1200 |
| RDS(on) (mΩ) | 32 |
