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Módulo IGBT de 1200V 600A, paquete E6, con FWD y NTC
- Estructura de canaleta y paro de campo de 1200V para mayor eficiencia
- Alta capacidad de cortocircuito con tiempo de resistencia de 10μs
- Bajas pérdidas de conmutación para reducir el consumo de energía
- Alta fiabilidad y coeficiente de temperatura positivo
- NTC integrado para una monitorización precisa de la temperatura
Descripción
El HCG600FH120D3K4D2 es un módulo IGBT de alto rendimiento de 1200V 600A diseñado para aplicaciones exigentes de electrónica de potencia. Con un paquete E6 con diodo de recuperación (FWD) y termistor NTC integrados, este módulo garantiza un funcionamiento eficiente y fiable en sistemas de alta potencia.
Clasificaciones máximas
| Parámetro | Símbolo | Condición | Valor | Unidad |
|---|---|---|---|---|
| Tensión colector-emisor | VCE(S) | VGE=OV, Tvj=25℃ | 1200 | V |
| Corriente de colector en corriente continua | Ic | Tc=115℃, Tyj, máx=175℃ | 600 | A |
| Corriente máxima de colector | ICM | tp=1ms | 1200 | A |
| Tensión máxima de pico puerta-emisor | VGES | ±20 | V | |
| Disipación total de potencia | Ptot | Tc=25°℃, Tvj, máx=175℃ | 3950 | W |
| Voltaje de inversión máxima repetitiva | VRRM | Tvj=25℃ | 1200 | V |
| Corriente continua de avance | IF | 600 | A | |
| Corriente de avance máxima repetitiva | IFRM | tp=1ms | 1200 | A |
| Valor Rt | 12t | VR=0V, tp=10ms, Tv=125℃ | 51000 | A2s |
| Tiempo de resistencia a cortocircuito del IGBT | tpsc | 10 | μs | |
| Temperatura máxima de unión | Tvjmax | 175 | ℃ | |
| Temperatura de unión de funcionamiento | Tvjop | -40~150 | ℃ | |
| Temperatura de almacenamiento | Tst | -40~125 | ℃ |
Información adicional
| Módulo | IGBT |
|---|---|
| Paquete | E6 |
| Diagrama de Circuito | Medio Puente |
| Tensión de Bloqueo (V) | 1200 |
| Corriente del Módulo (A) | 600 |
