ES 
EN 
DE 
ZH 
Módulo lGBT de 1200V 450A, paquete A3, con FWD y NTC
- Voltaje nominal: 1200V
- Corriente nominal: 450A (DC), 900A (Pico)
- Paquete: A3 con FWD y NTC integrados
- Bajas pérdidas de conmutación y alta densidad de potencia
- Temperatura máxima de unión: 175℃
- Temperatura de almacenamiento: -40℃ a 125℃
- Voltaje de aislamiento: 4.0 kV
- Peso compacto: 290 g
Descripción
El Módulo IGBT HCG450FL120A3F5 de HIITIO es un semiconductor de potencia de alto rendimiento de 1200V, 450A en un paquete A3. Integra un diodo de recuperación (FWD) y un termistor NTC para una monitorización térmica y protección mejoradas. Con bajas pérdidas de conmutación, alta densidad de potencia y un coeficiente de temperatura positivo, este módulo está diseñado para aplicaciones exigentes de electrónica de potencia.
Clasificaciones máximas
| Parámetro | Símbolo | Valor | Unidad |
|---|---|---|---|
| Temperatura máxima de unión | Tvjmax | 175 | ℃ |
| Temperatura de unión de funcionamiento | Tvjop | -40~150 | ℃ |
| Temperatura de almacenamiento | Tstg | -40~125 | ℃ |
Información adicional
| Módulo | IGBT |
|---|---|
| Paquete | A3 |
| Diagrama de Circuito | FL: 3 niveles |
| Tensión de Bloqueo (V) | 1200 |
| Corriente del Módulo (A) | 450 |
