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Módulo de potencia IGBT Econo Dual 3H 1200V 450A
- Proceso de canaleta y parada de campo de 1200V
- Baja EMI
- VCEsat con coeficiente de temperatura positivo
- Sensor de temperatura integrado
- Sustrato de Al2O3 con baja resistencia térmica
Descripción
El HCG450FH120D3RB es un módulo IGBT de alto rendimiento de 1200V/450A diseñado para aplicaciones avanzadas de electrónica de potencia. Con una puerta de zanja de 1200V y proceso de parada de campo, este módulo ofrece baja interferencia electromagnética (EMI) y un coeficiente de temperatura positivo de VCEsat para mayor fiabilidad. Integra un sensor de temperatura y utiliza un sustrato de Al2O3 de baja resistencia térmica para garantizar una disipación eficiente del calor.
Características clave:
- Tecnología de canaleta y parada de campo de 1200V
- Emisiones de EMI bajas
- Coeficiente de temperatura positivo de VCEsat
- Sensor de temperatura integrado para monitoreo
- Sustrato de Al2O3 de baja resistencia térmica
- Corriente continua de colector: 450A
- Corriente máxima de colector repetitiva: 900A
- Temperatura máxima de unión: 175°C
- Voltaje de prueba de aislamiento: 3kV RMS
Información adicional
| Módulo | IGBT |
|---|---|
| Paquete | Econo Dual 3H |
| Característica | RB |
| Diagrama de Circuito | Medio Puente |
| Tensión de Bloqueo (V) | 1200 |
| Corriente del Módulo (A) | 450 |
